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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제14권 제4호
발행연도
2004.1
수록면
151 - 154 (4page)

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Issues of ferroelectric high-density memories (> 64 Mb) indispensable for upcoming ubiquitous era have been on the cell integration less than 0.1 um2 and reliabilities. Thus nanoscale control of microstructures of ferroelectric films with large switching polarization has been one of the issues to obtain the uniform electrical properties for realization of high-density memories. In this study the grain orientations and distributions of BT-based films by spin-on coatings were examined by FEG-SEM/EBSD. Ferroelectric domain characteristics by PFM were also performed to study the dependence of reliabilities on the grain orientations and distributions. It is believed that understandings of the nucleation and growth mechanisms of the a- or b-axis oriented films during the thermal processes such as RTA and furnace annealing affecting on grain orientation and uniformity could be possible based on our experimental results.
#Ferroelectric #BLT #Orientation #Nanoscale #Nucleation

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A. Gruverman / 1997 / Auciello andT. Venkatesan, ?Nanoscale imaging of domain dynam-ics and retention in ferroelectric thin films Appl. 71 : 3492 ~ google schola A. Gruverman / 2001 / A. Kingon and H. Toku-moto, Asymetric nanoscale switching in feroelectricthin films by scanning force microscopy, 78 (2001) : 2751 ~ 78 google schola A. Roelofs / 2002 / Depo-larizing-field-mediated 180oswitching in ferroelectricthin films with 90o domains, 80 : 1424 ~ google schola B. Yang / 2001 / Highly reliable 1Mbit ferroelectric memories with newly developed BLT thin films and steady integration chemes 791 google schola B. Yang / 2002 / Highly reliable ferroelectric memories using BLT thin films and robust integration schemes 23 : 743 ~ google schola

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