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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
장정 (제주대학교 전자공학과) 라흐만 셰이크 압둘 (제주대학교 전자공학과) 칸 세나와르 알리 (제주대학교 전자공학과) 이광만 (제주대학교 전자공학과) 김우영 (제주대학교 전자공학과)
저널정보
한국유화학회 한국유화학회지 한국응용과학기술학회지 제35권 제4호
발행연도
2018.1
수록면
1,206 - 1,212 (7page)

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본 연구에서는 강유전성 고분자를 이용하여 제작된 100 nm 이하 두께를 가지는 박막형 커페시터의 측정 주파수에 따른 분극 반전 특성을 측정, 분석하였다. 고정된 박막 두께에 대해, 인가되는 최고 전기장의 세기가 증가할수록 더 높은 항전계에서 분극 반전이 발생되었다. 고정된 최고 전기장에 대해, 박막의 두께에 무관하게 같은 항전계에서 분극 반전이 발생되었다. 모든 측정에서 로그스케일 전기장 및 로그스케일 주파수의 관계에서 약 $0.12{\pm}0.01$의 비례 상수를 보였다. 결과적으로, 강유전체 고분자 커페시터가 40 nm 두께까지는 size effect 없이 일정한 분극 반전 특성을 보였다. 본 연구는 저전압 동작 고분자 메모리 소자의 동작 예측에 유용할 것이므로 저전압에서 동작 가능한 고분자 메모리 소자의 가능성을 보여준다.
#강유전성 고분자 #항전계 #스위칭 #주파수

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