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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제15권 제4호
발행연도
2008.1
수록면
31 - 39 (9page)

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캐비티 형성이 불필요한 MEMS 캡 본딩을 위해 전기도금법을 이용하여 Cu/Sn rim 구조를 형성하였으며, 25∼400 μm 범위의 rim 폭에 따른 본딩특성을 분석하였다. Cu/Sn rim의 폭이 증가함에 따라 rim 패키지 내부의 유효 실장면적비가 감소하는 반면에 파괴하중비가 증가하며, Cu/Sn rim 폭이 150 μm일 때 유효 실장면적비와 파괴하중비를 최적화할 수 있을 것으로 예측되었다. 폭 25 μm 및 폭 50 μm인 Cu/Sn rim 접합부에서는 모든 계면에서 본딩이 이루어진 반면에, 100 μm 이상의 폭을 갖는 rim 접합부에서는 Sn 도금표면의 거칠기에 의해 본딩이 이루어지지 않은 기공 부위가 관찰되었다.
#MEMS #Cu/Sn rim #cap #reflow bonding #electrodeposition

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A. C. Imhoff / 1999 / Packaging technologies for RFICs : current status and future trends / 1999 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symp. : 7 ~ google schola C. H. Yun / 2005 / Wafer-level packaging of MEMS accelerometers with through-wafer interconnects / Electon. Comp. Technol. Conf. : 320 ~ 323 google schola C. Statter / 1996 / Design and fabrication of a miniature pressure sensor head using direct bonded ultra-thin silicon wafers / J. Micromech. Microeng 7 : 108 ~ 110 google schola C. Tsou / 2007 / A novel wafer-level hermetic packaging for MEMS devices / IEEE Trans. Adv. Packag 30 : 616 ~ 621 google schola C.D. Fung / 1985 / Micromachining and micro packaging of transducers / Elsevier google schola

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