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학술저널
저자정보
Seonjun Choi (Hanyang University) Yun-heub Song (Hanyang University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.6
발행연도
2018.12
수록면
714 - 722 (9page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.6.714

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In this study we proposed the ‘Double-Side-Control-Gate’(DSCG) which solves problems the conventional 3-D vertical NAND flash structure using the added Sub-Side-Control-Gate(SSCG) and segregate charge nitride layer. The proposed DSCG structure was simulated and tested by the sentaurus TCAD(Synopsys. Inc) tool and confirmed the reduction of interference effect. To demonstrate the performance improvement of the proposed architecture, we analyzed cell-to-cell interference in 3- bit multi-cells and made quantitative analysis on the reduction of cell-to-cell interference resulting from the application of DSCG. In the analysis, we compared and estimated benefits expected from the application of DSCG by calculating Cell-to-Cell Distance(CTCD), pass voltage, etc. Lastly, we confirmed the above 90% reduction of the Cell-to- Cell interference using the DSCG structure.
#Vertical channel #DSCG #polysilicon #3-D memory #3-D block #3-D stacked NAND Flash memory #thin film

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. ARCHITECTURE
III. SIMULATION RESULTS AND DISCUSSIONS OF INTERFERENCE EFFECT
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (10)

참고문헌 신청
S. Aritome, Principle of NAND flash memory, in NAND Flash Memory Technologies, Wiley-IEEE Press, New York, USA, pp. 21-36, 2015. H. Tanaka, et al. Bit Cost Scalable Technology with Punch and Plug Process for Ultra High Density Flash Memory, 2007 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers. IEEE International, 12-14, pp. 14-15, June, 2007. R. Katsumata, et al. Pipe-shaped BiCS flash memory with 16 stacked layers and multi-level-cell operation for ultra high density storage devices, 2009 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers. IEEE International, 16-18, pp. 136-137, June, 2009. J. Jang, et al. Vertical Cell Array using TCAT(Terabit Cell Array Transistor) Technology for Ultra High Density NAND Flash Memory, 2009 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers. IEEE International, 16-18, pp. 192-193, June, 2009. W. S. Cho, et al. Reliable Vertical NAND Technology with Biconcave Shaped Storage Layer and Leakage Controllable Offset Structure, 2010 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers. IEEE International, 15-17, pp. 130-131, June, 2010.

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