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저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2009년 하계종합학술대회
발행연도
2009.7
수록면
387 - 388 (2page)

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In recent NAND flash memory technology, a virtual source and drain (VSD) structure appeared as a promising candidate to reduce the short channel effect (SCE). However, to implement double gate VSD structure, the I-V ... 전체 초록 보기

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