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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 329 - 332 (4page)
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본 논문에서는 ferroelectric(HfO₂)구조가 적용된 3D NAND flash memory의 parameter에 따른 lateral charge migration 의 retention과 V<SUB>th</SUB>를 분석하였다. P<SUB>s</SUB>가 클수록 program 시 ferroelectric에서 가능한 최대 polarization이 크기 때문에 초기 V<SUB>th</SUB> 는 P<SUB>s</SUB> 25μC/㎠보다 P<SUB>s</SUB> 70μC/㎠에서 약 1.04V차이로 커진다. 또한 Program 이후 trap된 전자는 시간이 지남에 따라서 lateral charge migration이 발생한다. Program 이후 gate에 전압을 가하지 않고 ferroelectric은 polarization을 유지하기 때문에 P<SUB>s</SUB>와 크게 관계없이 P<SUB>r</SUB>이 클수록 polarization이 커지고 lateral charge migration에 의한 ΔV<SUB>th</SUB>는 P<SUB>r</SUB> 5μC/㎠보다 P<SUB>r</SUB> 50μC/㎠에서 약 1.54V차이로 작아진다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
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