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저자정보
이민웅 (한국원자력연구원) 이남호 (한국원자력연구원) 김종열 (한국원자력연구원) 조성익 (전북대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제67권 제6호
발행연도
2018.6
수록면
745 - 752 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (6)

2022

반도체 방사선 열화 직접 진단 회로의 내방사선 및 저전력 집적화 설계
이민웅 ,  이남호 ,  권희정 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2022.06 학술대회자료

2020

누적방사선 환경용 로직기반 펄스방사선 탐지회로 구현 및 검증
이민웅 ,  이남호 ,  김종열 외 1명 대한전기학회 학술대회 논문집 2020.07 학술대회자료

2019

CMOS IC기반 Instrumentation Amplifier 설계 및 누적방사선 영향 분석
이민웅 ,  김종열 ,  이남호 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2019.06 학술대회자료

2018

원전용 IC를 위한 CMOS 디지털 논리회로의 내방사선 모델 설계 및 누적방사선 손상 분석
이민웅 ,  이남호 ,  김종열 외 1명 전기학회논문지 2018.06 학술저널
내방사선 I-게이트 구조 CMOS 집적회로 개발
이민웅 전자·정보공학부 2018.01 학위논문

2017

CMOS 논리소자를 이용한 고준위 펄스방사선 고속 검출회로
이민웅 ,  이남호 ,  정상훈 외 1명 대한전기학회 학술대회 논문집 2017.07 학술대회자료

초록· 키워드

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ICs(Integrated circuits) for nuclear power plant exposed to radiation environment occur malfunctions and data errors by the TID(Total ionizing dose) effects among radiation-damage phenomenons. In order to protect ICs from the TID effects, this paper proposes a radiation-hardening of the logic circuit(D-latch) which used for the data synchronization and the clock division in the ICs design. The radiation-hardening technology in the logic device(NAND) that constitutes the proposed RH(Radiation-hardened) D-latch is structurally more advantageous than the conventional technologies in that it keeps the device characteristics of the commercial process. Because of this, the unit cell based design of the RH logic device is possible, which makes it easier to design RH ICs, including digital logic circuits, and reduce the time and cost required in RH circuit design. In this paper, we design and modeling the structure of RH D-latch based on commercial 0.35㎛ CMOS process using Silvaco’s TCAD 3D tool. As a result of verifying the radiation characteristics by applying the radiation-damage M&S (Modeling&Simulation) technique, we have confirmed the radiation-damage of the standard D-latch and the RH performance of the proposed D-latch by the TID effects.
#Nuclear power plant #Integrated circuit #Total ionizing dose #Radiation-hardening technology #D-latch #Unit cell

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
A. S. Sedra and K. C. Smith, Microelectronic Circuits, 5th ed. New York: Oxford, 2004. H. M. Hashemian, “Maintenance of Process Instrumentation in Nuclear Power Plants,” Springer Press, 2006. G. C. Messenger and M. S. Ash, “The Effects of Radiation On Electronic Systems,” Springer Press, 1992. T. R. Oldham and F. B. Mclean, “Total Ionizing Dose Effects in MOS Oxides and Devices,” IEEE Trans. Nul. Sci., vol. 50, no. 3, pp. 483-496, Jun. 2003. H. J. Barnaby, “Total-Ionizing-Dose Effects in Modern CMOS Technologies,” IEEE Trans. Nul. Sci., vol. 53, no. 6, pp. 3103-3120, Dec. 2006.

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