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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.9
- 수록면
- 162 - 171 (10page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2022.59.9.162
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Single-Event Effects(SEE)와 Total Ionizing Dose(TID)와 같은 방사선 유발 열화 현상으로부터 회로의 신뢰성을 확보하는 것이 점점 중요한 문제가 되고 있다. 본 논문은 내방사선 설계를 위한 다양한 최신 기법 중 몇 가지 방안을 살펴보며, 구체적으로 1) 인버스 모드(Inverse mode)의 특성을 이용한 SEE 완화 기법, 2) ESD 회로 기반의 SEE 완화 회로, 3) Flip-Flop(FF)의 SEE 오작동을 방지하기 위한 Radiation-Hardened-By-Design(RHBD) FF 회로, 4) DC-DC 변환기에서 SEE를 완화하는 ASET(Analog Single-Event Transients)을 감지하는 회로, 그리고 5) TID 완화를 위한 P-edge NMOS 회로 기법을 소개한다. 언급된 각 기법의 동작 원리를 설명하고 개선점에 대해 논의한다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (21)
참고문헌 신청
Q. Zheng et al., "Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers," in IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 68, no. 7, pp. 1423-1429, July 2021, doi: 10.1109/TNS.2021.3081116.
J. Chen et al., "ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology," in IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 69, no. 5, pp. 1141-1147, May 2022, doi: 10.1109/TNS.2022.3152496.
A. Y. Borisov, A. Y. Borisov, A. A. Nefedova and G. V. Chukov, "The Electrical Bias Influence on the Total Ionizing Dose Degradation of the MOST Parameters," 2021 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), pp. 1-4, May 2021, doi: 10.1109/SIBCON50419.2021.9438866.
H. H. Shaker, A. A. Saleh, M. R. Amin and S. E. D. Habib, "New Proposed Methodology for Radiation Hardening By Design of MOS Circuits," 2020 32nd International Conference on Microelectronics (ICM), pp. 1-4, December 2020, doi: 10.1109/ICM50269.2020.9331495.
A. Feeley, Y. Xiong, N. Guruswamy and B. L. Bhuva, "Effect of Frequency on Total Ionizing Dose Response of Ring Oscillator Circuits at the 7-nm Bulk FinFET Node," in IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 69, no. 3, pp. 327-332, March 2022, doi: 10.1109/TNS.2022.3144911.
J. Chen et al., "ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology," in IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 69, no. 5, pp. 1141-1147, May 2022, doi: 10.1109/TNS.2022.3152496.
A. Y. Borisov, A. Y. Borisov, A. A. Nefedova and G. V. Chukov, "The Electrical Bias Influence on the Total Ionizing Dose Degradation of the MOST Parameters," 2021 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), pp. 1-4, May 2021, doi: 10.1109/SIBCON50419.2021.9438866.
H. H. Shaker, A. A. Saleh, M. R. Amin and S. E. D. Habib, "New Proposed Methodology for Radiation Hardening By Design of MOS Circuits," 2020 32nd International Conference on Microelectronics (ICM), pp. 1-4, December 2020, doi: 10.1109/ICM50269.2020.9331495.
A. Feeley, Y. Xiong, N. Guruswamy and B. L. Bhuva, "Effect of Frequency on Total Ionizing Dose Response of Ring Oscillator Circuits at the 7-nm Bulk FinFET Node," in IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 69, no. 3, pp. 327-332, March 2022, doi: 10.1109/TNS.2022.3144911.
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