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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 23 - 26 (4page)
- DOI
- http://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.1.23
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비대칭 마그네트론 스퍼터링법으로 Mo 타겟 전력 밀도에 따라 제작한 Mo 도핑 탄소(C:Mo) 박막의 표면, 구조, 전기적 특성등을 고찰하였다. 비대칭 스퍼터링 장치로 증착한 C:Mo 박막은 균일하고, 부드러운 표면을 나타내었다. 그러나 Mo 타겟 전력 밀도 증가에 따라 Rms 표면거칠기 값은 증가하였다. 또한 전기적 특성으로 박막의 비저항 값은 타겟 전력 밀도 증가에 따라 감소하였다. 이러한 특성을 바탕으로 게이트 전극으로 C:Mo 박막을 적용한 OTFT 소자의 전기적 특성에서 μ와 VT의, Ion/Ioff 값은 각각 0.16 cm2/V·s, -6.0 V, 7.7×104 값을 나타내었다.
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Marja Vilkman / 2016 / Self-Aligned Metal Electrodes in Fully Roll-to-Roll Processed Organic Transistors / Electronics 5(4):2
Fábio Vidor / 2015 / Flexible Electronics: Integration Processes for Organic and Inorganic Semiconductor-Based Thin-Film Transistors / Electronics 4(3):480~506
I.H. Campbell / 1996 / Probing electronic state charging in organic electronic devices using electroabsorption spectroscopy / Synthetic Metals 80(2):105~110
N. R. Tu / 1999 / High-field electrical conduction in polyimide films / Journal of Applied Physics 85(10):7267~7275
W. A. Schoonveld / 1998 / Intrinsic charge transport properties of an organic single crystal determined using a multiterminal thin-film transistor / Applied Physics Letters 73(26):3884~3886
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