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자료유형
학술저널
저자정보
마상민 (가천대학교 전자공학과) 권상직 (가천대학교 전자공학과) 조의식 (가천대학교 전자공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제17권 제3호
발행연도
2018.1
수록면
31 - 35 (5page)

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Tungsten disulfide($WS_2$) thin films were directly deposited by direct-current(DC) sputtering and annealed by rapid thermal processing(RTP) to materialize two-dimensional p-type transition metal dichalcogenide (TMDC) thin films on soda-lime glass substrates without any complicated exfoliation/transfer process. $WS_2$ thin films deposited at various DC sputtering powers from 80 W to 160W were annealed at different temperatures from $400^{\circ}C$ to $550^{\circ}C$ considering the melting temperature of soda-lime glass. The optical microscope results showed the stable surface morphologies of the $WS_2$ thin films without any defects. The X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) results and the Hall measurement results showed stable binding energies of W and S and high carrier mobilities of $WS_2$ thin films.
#Tungsten Disulfide #$WS_2$) #DC Sputtering #Rapid Thermal Processing #RTP) #Soda-Lime Glass

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