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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.9
- 수록면
- 31 - 37 (7page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2017.54.9.31
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High resistivity(HR) silicon-on-insulator(SOI) 웨이퍼에 존재하는 낮은 parasitic conduction 저항 효과를 반영한 RF CMOS 표준형 인덕터 등가회로를 제시하고 정확한 주파수 종속 quality factor 모델링을 수행하였다. 이러한 parasitic conduction 저항과 oxide capacitance의 변화에 따른 주파수 종속 quality factor에 대한 영향을 시뮬레이션 및 이론 방정식을 통하여 자세히 분석하였다. 이 분석 결과로부터 quality factor의 최대값과 그때의 주파수가 parasitic conduction 저항의 감소에 따라서 증가하지만, 공진 주파수는 parasitic conduction 저항의 영향이 거의 없는 것을 알 수 있다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 등가 회로 모델링
Ⅲ. Q-factor의 Rpc 및 Cox 종속성 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (12)
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