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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
국진욱 (한국외국어대학교) 이성현 (한국외국어대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제59권 제2호(통권 제531호)
발행연도
2022.2
수록면
29 - 35 (7page)
DOI
10.5573/ieie.2022.59.2.29

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이 논문의 연구 히스토리 (6)

2022

RF 스위치용 HR PD-SOI MOSFET의 SPICE 모델링
국진욱 ,  이성현 전자공학회논문지 2022.02 학술저널
RF 스위치 집적회로 설계용 PD-SOI MOSFET의 캐패시턴스 추출 방법 및 SPICE 모델 연구
국진욱 전자공학과 2022.01 학위논문

2021

PD-SOI MOSFET의 외부 캐패시턴스 추출을 위한 개선된 RF 방법
국진욱 ,  이성현 전자공학회논문지 2021.04 학술저널

2020

외부 게이트-바디 캐패시터를 포함한 개선된 RF PD-SOI MOSFET SPICE 모델
국진욱 ,  이성현 대한전자공학회 학술대회 2020.11 학술대회자료
PD-SOI MOSFET의 Off-상태 캐패시턴스 RF 추출 방법에 대한 연구
국진욱 ,  이성현 대한전자공학회 학술대회 2020.08 학술대회자료

2019

스위치용 PD-SOI MOSFET의 Off-상태 캐패시턴스에 대한 인덕턴스 효과
국진욱 ,  이성현 대한전자공학회 학술대회 2019.11 학술대회자료

초록· 키워드

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RF switch IC 설계에서 주로 사용되는 기존 bulk CMOS PSP 모델에 substrate와 buried oxide 성분들을 macro 형태로 추가함으로써 switch용 PD-SOI MOSFET의 개선된 RF SPICE Macro 모델을 개발하였다. 모델 parameter들은 common source-body 구조의 소신호 등가회로에서 유도된 간단한 Y-parameter 방정식을 통해 측정 S-parameter로부터 직접 추출하였고, 이는 기존의 S-parameter optimization 방법에 비해 훨씬 물리적인 parameter 추출 방법이다. 최종적으로 추출된 모델 parameter들의 geometry 종속 특성을 scalable 방정식 형태로 표현하여 switch용 SOI MOSFET의 개선된 SPICE macro 모델을 구축하고 측정 S-parameter와의 비교를 통해 모델 정확성을 검증하였다.
#MOSFET #SOI MOSFET #RF #SOI #Parameter extraction #Modeling #SPICE model #Equivalent circuit

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 모델 Parameter 추출
Ⅲ. 개선된 RF switch용 SPICE Macro 모델링
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (16)

참고문헌 신청
K. B. Ali, C. R. Neve, A. Gharsallah, and J.-P. Raskin, “RF Performance of SOI CMOS Technology on Commercial 200-mm Enhanced Signal Integrity High Resistivity SOI Substrate,” IEEE Trans. Electron Device, vol. 61, no. 3, pp. 722-728, 2014. google schola SPICE Models Manual, SILVACO Inc, Santa Clara, CA, 2012. google schola BSIMSOIv4.4 MOSFET Model User‘s Manual, Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, 2010. google schola W. Wu, X. Li, G. Gildenblat, G.O. Workman, S. Veeraraghavan, C.C. McAndrew, R. van Langevelde, G.D.J. Smit, A.J. Scholten, D.B.M. Klaassen, and J. Watts, "PSP-SOI: An advanced surface potential based compact model of partially depleted SOI MOSFETs for circuit simulations", Solid-State Electronics, vol. 53, pp. 18-29, 2009. google schola PSP 103.3, Technical Note NXP-TN-2012-0080, NXP Semiconductors, 2013. google schola

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PD-SOI MOSFET의 드레인-소스 캐패시턴스에 대한 전압 종속성 분석
이기안 ,  이성현 대한전자공학회 학술대회 2019 .11
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Kiahn Lee ,  Seonghea ,  n Lee 대한전자공학회 학술대회 2019 .06

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