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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.2
- 수록면
- 35 - 41 (7page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2023.60.2.35
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
2023
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RF inductive 효과를 가진 body contact PD-SOI MOSFET의 출력 등가회로로부터 유도된 Y-parameter 방정식을 주파수 관련 함수로 표현하여 얻어진 선형 regression line의 기울기 또는 y 절편 값으로 RF inductive 효과 parameter들을 직접 추출하는 개선된 방법을 제안한다. 기존의 direct 추출 방법은 오차가 생기는 초고주파 및 초저주파의 극한값이 필요하기 때문에, 측정 주파수 범위의 선택에 따라 추출 값이 부정확해지므로 복잡한 optimization 과정이 필요하다. 하지만 개선된 방법은 최대 및 최소 측정 주파수 범위의 제한 없이 측정 데이터의 선형 regression line을 사용하여 optimization 없이 정확한 값을 추출할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 개선된 추출 방법의 정확도는 기존 방법을 사용한 모델보다 측정 S-parameter 데이터와 더 잘 일치하는 것을 확인함으로써 검증되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 등가 회로 및 외부 파라미터 추출
Ⅲ. 기존 추출 방법
Ⅳ. 개선된 추출 방법
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
J.-P. Raskin, “SOI technology pushes the limits of CMOS for RF applications,” in Proc. IEEE 16th Topical Meeting Silicon Monolithic Integr. Circuits RF Syst., Jan. 2016, pp. 17-20.
K. B. Ali, C. R. Neve, A. Gharsallah and J.-P. Raskin, “RF Performance of SOI CMOS Technology on Commercial 200-mm Enhanced Signal Integrity High Resistivity SOI Substrate,” IEEE Trans. Electron Device, vol. 61, no. 3, pp. 722-728, 2014.
S. B. Chiah and X. Zhou, “Floating-Body Effect in Partially/Dynamically/Fully Depleted DG/SOI MOSFETs Based on Unified Regional Modeling of Surface and Body Potentials,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 2, Feb. 2014.
D. Lederer, D. Flandre and J.-P. Raskin, “High frequency degradation of body-contacted PD SOI MOSFET output conductance,” Semicond. Sci. Technol., vol. 20, no. 5, pp. 469-472, 2005.
D. Lederer and J.-P. Raskin, “Characterization of the body node in PD SOI MOSFETs using multiport VNA measurements,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 11, pp. 3030-3039, Nov. 2007.
K. B. Ali, C. R. Neve, A. Gharsallah and J.-P. Raskin, “RF Performance of SOI CMOS Technology on Commercial 200-mm Enhanced Signal Integrity High Resistivity SOI Substrate,” IEEE Trans. Electron Device, vol. 61, no. 3, pp. 722-728, 2014.
S. B. Chiah and X. Zhou, “Floating-Body Effect in Partially/Dynamically/Fully Depleted DG/SOI MOSFETs Based on Unified Regional Modeling of Surface and Body Potentials,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 2, Feb. 2014.
D. Lederer, D. Flandre and J.-P. Raskin, “High frequency degradation of body-contacted PD SOI MOSFET output conductance,” Semicond. Sci. Technol., vol. 20, no. 5, pp. 469-472, 2005.
D. Lederer and J.-P. Raskin, “Characterization of the body node in PD SOI MOSFETs using multiport VNA measurements,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 11, pp. 3030-3039, Nov. 2007.
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