지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.2
- 수록면
- 35 - 41 (7page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2023.60.2.35
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
2023
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
RF inductive 효과를 가진 body contact PD-SOI MOSFET의 출력 등가회로로부터 유도된 Y-parameter 방정식을 주파수 관련 함수로 표현하여 얻어진 선형 regression line의 기울기 또는 y 절편 값으로 RF inductive 효과 parameter들을 직접 추출하는 개선된 방법을 제안한다. 기존의 direct 추출 방법은 오차가 생기는 초고주파 및 초저주파의 극한값이 필요하기 때문에, 측정 주파수 범위의 선택에 따라 추출 값이 부정확해지므로 복잡한 optimization 과정이 필요하다. 하지만 개선된 방법은 최대 및 최소 측정 주파수 범위의 제한 없이 측정 데이터의 선형 regression line을 사용하여 optimization 없이 정확한 값을 추출할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 개선된 추출 방법의 정확도는 기존 방법을 사용한 모델보다 측정 S-parameter 데이터와 더 잘 일치하는 것을 확인함으로써 검증되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 등가 회로 및 외부 파라미터 추출
Ⅲ. 기존 추출 방법
Ⅳ. 개선된 추출 방법
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
J.-P. Raskin, “SOI technology pushes the limits of CMOS for RF applications,” in Proc. IEEE 16th Topical Meeting Silicon Monolithic Integr. Circuits RF Syst., Jan. 2016, pp. 17-20.
K. B. Ali, C. R. Neve, A. Gharsallah and J.-P. Raskin, “RF Performance of SOI CMOS Technology on Commercial 200-mm Enhanced Signal Integrity High Resistivity SOI Substrate,” IEEE Trans. Electron Device, vol. 61, no. 3, pp. 722-728, 2014.
S. B. Chiah and X. Zhou, “Floating-Body Effect in Partially/Dynamically/Fully Depleted DG/SOI MOSFETs Based on Unified Regional Modeling of Surface and Body Potentials,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 2, Feb. 2014.
D. Lederer, D. Flandre and J.-P. Raskin, “High frequency degradation of body-contacted PD SOI MOSFET output conductance,” Semicond. Sci. Technol., vol. 20, no. 5, pp. 469-472, 2005.
D. Lederer and J.-P. Raskin, “Characterization of the body node in PD SOI MOSFETs using multiport VNA measurements,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 11, pp. 3030-3039, Nov. 2007.
K. B. Ali, C. R. Neve, A. Gharsallah and J.-P. Raskin, “RF Performance of SOI CMOS Technology on Commercial 200-mm Enhanced Signal Integrity High Resistivity SOI Substrate,” IEEE Trans. Electron Device, vol. 61, no. 3, pp. 722-728, 2014.
S. B. Chiah and X. Zhou, “Floating-Body Effect in Partially/Dynamically/Fully Depleted DG/SOI MOSFETs Based on Unified Regional Modeling of Surface and Body Potentials,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 2, Feb. 2014.
D. Lederer, D. Flandre and J.-P. Raskin, “High frequency degradation of body-contacted PD SOI MOSFET output conductance,” Semicond. Sci. Technol., vol. 20, no. 5, pp. 469-472, 2005.
D. Lederer and J.-P. Raskin, “Characterization of the body node in PD SOI MOSFETs using multiport VNA measurements,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 11, pp. 3030-3039, Nov. 2007.
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
개선된 방법을 사용한 Floating Body PD-SOI MOSFET의 RF 인덕티브 효과 모델 파라미터 추출
대한전자공학회 학술대회
2022 .11
-
Floating Body PD-SOI MOSFET 등가회로의 RF Inductive 효과 파라미터에 대한 게이트 전압 종속성 분석
전자공학회논문지
2024 .11
-
PD-SOI MOSFET의 외부 캐패시턴스 추출을 위한 개선된 RF 방법
전자공학회논문지
2021 .04
-
RF 스위치용 HR PD-SOI MOSFET의 SPICE 모델링
전자공학회논문지
2022 .02
-
Analysis of Drain Voltage Dependent RF Inductive Effect in Floating Body PD-SOI MOSFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2024 .10
-
Floating Body PD-SOI MOSFET의 드레인 전압 종속 RF 인덕티브 효과 파라미터 추출
대한전자공학회 학술대회
2022 .06
-
PD-SOI MOSFET의 Off-상태 캐패시턴스 RF 추출 방법에 대한 연구
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
Floating Body PD-SOI MOSFET의 S-파라미터에서나타나는 드레인 전압 종속 RF 인덕티브 효과
대한전자공학회 학술대회
2023 .06
-
HR PD-SOI MOSFET의 정확한 RF 소신호 모델링
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
-
Body Contact된 High Resistivity PD-SOI N-MOSFET에서 발생하는 RF Inductive 효과의 드레인 전압 종속성 분석
전자공학회논문지
2021 .02
-
외부 게이트-바디 캐패시터를 포함한 개선된 RF PD-SOI MOSFET SPICE 모델
대한전자공학회 학술대회
2020 .11
-
Body Contact HR PD-SOI MOSFET의 RF Kink 효과 모델링
대한전자공학회 학술대회
2018 .06
-
High Resistivity SOI RF CMOS 대칭형 인덕터 모델링을 위한 개선된 Optimization 방법 연구
전자공학회논문지
2015 .09
-
유도성 기생성분에 의한 드레인전류응답지연을 포함한 SOI MOSFET 고주파모델
한국전자통신학회 논문지
2018 .10
-
Physical Analysis of Kink Effect in Body Contacted PD-SOI N-MOSFETs
대한전자공학회 학술대회
2019 .06
-
High Resistivity SOI MOS 버랙터를 위한 RF 대신호 모델 연구
전자공학회논문지
2016 .09
-
Floating Body PD-SOI MOSFET에서 RF Kink 저항의 게이트 전압 종속성 분석
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
-
Large-Signal Output Equivalent Circuit Modeling for RF MOSFET IC Simulation
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2015 .10
-
HR SOI CMOS 인덕터의 개선된 RF 모델링
대한전자공학회 학술대회
2017 .06
-
RF MOSFET 입력 캐패시턴스의 주파수 종속 효과 분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0