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Seong-Yong Jang (Chungnam National University) Sung-Kyu Kwon (Chungnam National University) Jong-Kwan Shin (Chungnam National University) Jae-Nam Yu (Chungnam National University) Sun-Ho Oh (Chungnam National University) Jin-Woong Jeong (Chungnam National University) Hyeong-Sub Song (Chungnam National University) Choul-Young Kim (Chungnam National University) Ga-Won Lee (Chungnam National University) Hi-Deok Lee (Chungnam National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.15 No.2
발행연도
2015.4
수록면
312 - 317 (6page)

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In this paper, the RF characteristics of multi-finger MOSFETs were improved by decreasing the parasitic capacitance in spite of increased gate resistance in a 90-nm CMOS technology. Two types of device structures were designed to compare the parasitic capacitance in the gate-to-source (C<SUB>gs</SUB>) and gate-to-drain (C<SUB>gd</SUB>) configurations. The radio frequency (RF) performance of multi-finger MOSFETs, such as cut-off frequency (f<SUB>T</SUB>) and maximum-oscillation frequency (f<SUB>max</SUB>) improved by approximately 10% by reducing the parasitic capacitance about 8.2% while maintaining the DC performance.
#Multi-finger MOSFET #layout #cut-off frequency (f< #SUB> #T< #/SUB> #) #parasitic capacitance #RF performance

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL DETAILS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (9)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - C. H. Doan / 2005 / Millimeter-wave CMOS design / IEEE J. Solid-State Circuits 40 (1) : 144 ~ 155 google schola 2. [학술대회논문] - E. Morifuji / 1999 / Future perspective and scaling down roadmap for RF CMOS / VLSI Symp. Tech. Dig : 165 ~ 166 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - P. H. Woerlee / 2001 / RF-CMOS Performance Trends / IEEE Trans. Electron Devices 48 (8) : 1776 ~ 1782 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - C. Y. Chan / 2008 / Wiring effect optimization in 65-nm lowpower NMOS / IEEE Electron Device Lett 29 (11) : 1245 ~ 1248 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - H. S. Jhon / 2009 / fmax Improvement by Controlling Extrinsic Parasitics in Circuit-Level MOS Transistor / IEEE Electron Device Lett 30 (12) : 1323 ~ 1325 google schola

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