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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.4
- 수록면
- 3 - 8 (6page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2021.58.4.3
이용수
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2022
2020
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High resistivity(HR) partially depleted(PD) silicon-on-insulator(SOI) MOSFET의 accumulation 영역에서 기존의 외부 캐패시턴스 추출 방법의 부정확성을 확인하고 이를 제거하기 위해, 이전의 직접 추출 방법에서 무시되었던 내부 body 저항을 고려한 물리적인 off-state 등가회로를 사용하였다. 이러한 등가회로의 캐패시턴스 값들을 직접 추출하기 위하여 accumulation 영역에서 단순화된 off-state 등가회로를 구하고 Y-parameter 추출 방정식을 유도하여 사용하는 개선된 RF 방법을 제안하였다. 이와 같이 추출된 물리적 등가회로의 S-parameter를 측정 데이터와 30㎓까지 비교함으로써 개선된 추출 방법의 정확성을 검증하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 모델 파라미터 추출
Ⅲ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
K. B. Ali, C. R. Neve, A. Gharsallah, and J.-P. Raskin, “RF Performance of SOI CMOS Technology on Commercial 200-mm Enhanced Signal Integrity High Resistivity SOI Substrate,” IEEE Trans. Electron Device, vol. 61, no. 3, pp. 722-728, 2014.
J.-P. Raskin, “SOI technology pushes the limits of CMOS for RF applications,” in Proc. IEEE 16th Topical Meeting Silicon Monolithic Integr. Circuits RF Syst., Jan. 2016, pp. 17–20.
J. Ahn and S. Lee, “A direct method to extract extrinsic capacitances of RF SOI MOSFETs using common source-body and gate-body configurations," Microwave and Optical Technology Letters, vol. 59, no. 12, pp. 2851-2853, Dec. 2016.
M. Choi, J. Kim, and S. Lee, “Accuracy Analysis of Substrate Model for Multi-Finger RF MOSFETs Using a New Parameter Extraction Method,” Journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea - Semiconductor and Devices, vol. 49, no. 2, pp. 9-14, 2012.
S. Parthasarathy, A. Trivedi, S. Sirohi, R. Groves, M. Olsen, Y. S Chauhan, M. Carroll, D. Kerr, A. Tombak, and P. Mason, "RF SOI switch FET design and modeling tradeoffs for GSM applications,“ in Proc. 23rd International Conference on VLSI Design, 2010, pp. 194-199.
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