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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.24 No.5
- 발행연도
- 2024.10
- 수록면
- 448 - 458 (11page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2024.24.5.448
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Based on the analysis of the RF inductive effect due to the negative capacitance observed in the S<SUB>22</SUB> -parameter of floating body PD-SOI n-MOSFETs on the Smith chart, the reason why this effect appears at a much higher V <SUB>DS</SUB>than the DC kink voltage V<SUB>kink</SUB> , unlike in body contact devices, is revealed for the first time. The origin of the anomalous V<SUB>DS</SUB> - dependence on RF inductive effect is identified by analyzing the V<SUB>DS</SUB> - dependent kink conductance Gk and the pole frequency p f , which are extracted using the frequency curves of the output admittance. Using the measured G<SUB>k</SUB> versus V<SUB>DS</SUB> data, which is validated by a physical body transconductance mbg equation, it is confirmed that the turning radius of the S<SUB>22 </SUB> -parameter is reduced at lower V<SUB>DS</SUB> due to a decrease in g<SUB>mb</SUB> . It is theoretically proven that the extracted f<SUB>p</SUB> data is reduced as V<SUB>DS</SUB> decreases, and if f<SUB>p</SUB> is less than the minimum measurement frequency, the rotation angle of the S<SUB>22</SUB> trajectory becomes significantly smaller. Due to the decrease in g<SUB>mb</SUB> and f<SUB>p</SUB> at lower , V<SUB>DS</SUB> the anomalous RF inductive effect is exhibited in floating body devices.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. RF INDUCTIVE EFFECT
III. ANALYSIS OF BIAS-DEPENDENCE
IV. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (20)
참고문헌 신청
S. S. Chen and J. B. Kuo, “An analytical CAD kink effect model of partially-depleted SOI NMOS devices operating in strong inversion,” Solid-State Electron., vol. 41, no. 3, pp. 447-458, Mar. 1997.
S. C. Lin and J. B. Kuo, “Temperature-dependent kink effect model for partially-depleted SOI NMOS devices,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 46, no. 1, pp. 254-258, Jan. 1999.
M. Y. Hammad and D. K. Schroder, “Analytical Modeling of the Partially-Depleted SOI MOSFET,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, no. 2, pp. 252-258, Feb. 2001.
M. Kaifi and M.J. Siddiqui, “Kink model for SOI MOSFET,” in Proc. Int. Conf. on Multimedia, Signal Processing and Communication Technologies, Dec. 2011, pp. 17-19.
P. Su, S. K. H. Fung, H. Wan, A. Niknejad, M. Chan, and C. Hu, “An impact ionization model for SOI circuit simulation,” in Proc. IEEE Int. SOI Conf., Oct. 2002, pp. 201-202.
S. C. Lin and J. B. Kuo, “Temperature-dependent kink effect model for partially-depleted SOI NMOS devices,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 46, no. 1, pp. 254-258, Jan. 1999.
M. Y. Hammad and D. K. Schroder, “Analytical Modeling of the Partially-Depleted SOI MOSFET,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, no. 2, pp. 252-258, Feb. 2001.
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P. Su, S. K. H. Fung, H. Wan, A. Niknejad, M. Chan, and C. Hu, “An impact ionization model for SOI circuit simulation,” in Proc. IEEE Int. SOI Conf., Oct. 2002, pp. 201-202.
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