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Bo Gyeong Kim (Kyungpook National University) Ra Hee Kwon (Kyungpook National University) Jae Hwa Seo (Kyungpook National University) Young Jun Yoon (Kyungpook National University) Young In Jang (Kyungpook National University) Min Su Cho (Kyungpook National University) Jung-Hee Lee (Kyungpook National University) Seongjae Cho (Gachon University) In Man Kang (Kyungpook National University)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.12 No.6
발행연도
2017.11
수록면
2,324 - 2,332 (9page)

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This paper presents the electrical performances of novel AlGaSb/InGaAs heterojunctionbased vertical-tunneling field-effect transistor (VTFET). The device performance was investigated in views of the on-state current (I<SUB>on</SUB>), drain-induced barrier thinning (DIBT), and subthreshold swing (SS) as the gate length (L<SUB>G</SUB>) was scaled down. The proposed TFET with a L<SUB>G</SUB> of 5 nm operated with an Ion of 1.3 mA/μm, a DIBT of 40 mV/V, and an SS of 23 mV/dec at a drain voltage (V<SUB>DS</SUB>) of 0.23 V. The proposed TFET provided approximately 25 times lower DIBT and 12 times smaller SS compared with the conventional L<SUB>G</SUB> of 5 nm TFET. The AlGaSb/InGaAs VTFET showed extremely high scalability and strong immunity against short-channel effects.
#Tunneling field-effect transistor #Heterojunction #Vertical tunneling #Short-channel Effect #Drain-induced barrier thinning

목차

Abstract
1. Introduction
2. Device Structure and Simulation Methodology
3. Results and Discussion
4. Conclusion
References

참고문헌 (29)

참고문헌 신청
Chun-Hsing Shih and Nguyen Van Kien, “Sub-10 nm Asymmetric Junctionless Tunnel Field-Effect Transistors,” IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 2, no. 5, pp. 128-132, Sep. 2014. Giovanni Betti Beneventi, Elena Gnani, Antonio Gnudi, Susanna Reggiani, and Giorgio Baccarani, “Dual-Metal-Gate InAs Tunnel FET With Enhanced Turn-On Steepness and High f,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 3, pp. 776-784, Mar. 2014. Yukinori Morita, Takahiro Mori, Shinji Migita, Wataru Mizubayashi, Akihito Tanabe, Koichi Fukuda, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O’uchi, Yong Xun Liu, Meishoku Masahara, and Hiroyuki Ota, “Performance Enhancement of Tunnel Field-Effect Transistors by Synthetic Electric Field Effect,” IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 5, pp. 792-794, Sep. 2014. Hraziia, Andrei Vladimirescu, Amara Amara, and Costin Anghel, “An analysis on the ambipolar current in Si double-gate tunnel FETs,” Solid-State Electron., vol. 70, pp. 67-72, Apr. 2012. Zhengyong Zhu, Huilong Zhu, Miao Xu, Jian Zhong, Chao Zhao, Dapeng Chen, and Tianchun Ye, “A Novel Fin Electron-Hole Bilayer Tunnel Field-Effect Transistor,” IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 13, no. 6, pp. 1133-1137, Nov. 2014.

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