MCU에 내장된 플레쉬 메모리 오동작 테스트 가능한 ROM Writer 개발

김태선; 박차훈

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김태선 (경운대학교) 박차훈 (경운대학교)

저널정보: 한국산업정보학회 한국산업정보학회논문지 한국산업정보학회논문지 제20권 제4호

발행연도: 2015.8

수록면: 103 - 109 (7page)

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본 논문은 MCU에 내장된 플레쉬 메모리의 오동작 테스트를 shmoo 테스트 기법을 사용하고, 이 기능을 내장한 롬라이트 개발에 관한 논문이다. shmoo 테스트는 다양한 입력조건에 대한 응답을 도표로 나타내고 분석하는 기법으로, 마이크로프로세서, ASIC 및 메모리와 같은 집적회로 또는 컴퓨터 시스템의 성능분석의 기법으로 사용된다. 개발된 롬라이터는 Shmoo 검사를 수행하고 Flash 32K의 쓰기를 수행하였을 때 6.4s 정도의 시간이 소요되었으며, 이는 현재 사용하고 있는 ROM Writer의 속도에 비해 약 20% 정도 향상되었다.

#메모리 테스트 #shmoo 테스트 #롬라이트 #memory test #shmoo test #rom writer

참고문헌 (8)

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[학술지(정기간행물)] - 김진완 / 2014 / MLC NAND-형 Flash Memory 내장 자체 테스트에 대한 연구 / 전자공학회논문지 51 (3) : 61 ~ 72

[학술지(정기간행물)] - 장기웅 / 2012 / MLC NAND-형 플래시 메모리를 위한고장검출 테스트 알고리즘 / 전자공학회논문지 - SD 49 (4) : 26 ~ 33

[학술대회논문] - S. Lai / 1998 / Tunnel oxide and ETOXtm flash scaling limitation / in Tech. Dig. of Int'l NonVolatile Memory Technology Conference : 6 ~ 7

[학술지(정기간행물)] - A. Thean / 2002 / Flash memory : towards singleelectronics / IEEE Potentials : 35 ~ 41

[학술대회논문] - S. J. Baik / 2003 / High speed and nonvolatile Si nanocrystal memory for scaled flash technology using highly field-sensitive tunnel barrier / IEDM Tech. Dig. : 545 ~ 548

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