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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.3
- 수록면
- 161 - 169 (9page)
이용수
초록· 키워드
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무선충전기, USB 타입-C 등의 응용에 사용되는 MCU 칩은 제조 원가를 줄이기 위해 3～5개의 추가 공정 마스크가 필요한 DP-EEPROM(Double Poly EEPROM)보다는 추가 마스크가 한 장 이내이면서 메모리 셀 사이즈가 작은 MTP(Multi-Time Programmable) 메모리가 요구된다. 그리고 E/P(Erase/Program) cycling에 따른 MTP 메모리 셀의 endurance 특성과 데이터 retention 특성을 좋게 하기 위해서 VTP(Program Threshold Voltage)와 VTE(Erase Threshold Voltage)의 산포는 좁은 것이 필요하다. 그래서 본 논문에서는 short pulse의 erase와 program pulse를 여러 번 수행하면서 목표 전류와 비교한 뒤 전류스펙을 만족하면 더 이상 program이나 erase 동작을 수행하지 않게 하므로 program VT 산포나 erase VT 산포를 줄이는 알고리즘과 current-type BL S/A(Bit-Line Sense Amplifier) 회로, WM(Write Mask) 회로, BLD(BL Driver) 회로를 제안하였다. 매그나칩반도체 0.13㎛ 공정으로 제작된 256Kb MTP 메모리 웨이퍼에서 동작 모드에 맞게 정상적으로 동작하는 것을 확인할 수 있다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 모의실험 및 측정 결과
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
Y. Xu / 2016 / Design Techniques for a 30-ns Access Time 1.5-V 200-KB Embedded EEPROM Memory / IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 63(11):1064~1068
R. Strenz / 2011 / Embedded Flash Technologies and their Applications: Status & Outlook / Proceedings of IEEE IEDM :9.4.1~9.4.4
B. Wang / 2008 / Opportunities and Challenges in Multi-times-programmable Floating-Gate Logic Non-Volatile Memories / DOI: 10.1109/NVSMW.2008.12 :22~25
F. Xu / 2004 / Key Design Techniques of A 40ns 16K Bits Embedded EEPROM Memory / 2004 International Conference on Communications, Circuits and Systems 2:1516~1520
A. Conte / 2005 / A High-Performance Very Low-Voltage Current Sense Amplifier for Nonvolatile Memory / IEEE J. Solid-State Circuits 40(2):507~514
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A. Conte / 2005 / A High-Performance Very Low-Voltage Current Sense Amplifier for Nonvolatile Memory / IEEE J. Solid-State Circuits 40(2):507~514
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