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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.3
- 수록면
- 567 - 574 (8page)
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본 논문에서는 MCU(Micro Controller Unit) IC를 위한 50ns 256Kb EEPROM 회로를 설계하였다. 설계된 EEPROM IP는 기준전압을 이용한 차동증폭기 형태의 DB(Data Bus) 센싱 회로를 제안하여 읽기 동작시 데이터 센싱 속도를 빠르게 하였으며, DB를 8등분한 Distributed DB 구조를 적용하여 DB의 기생 커패시턴스 성분을 줄여 DB의 스위칭 속도를 높였다. 또한 기존의 RD 스위치 회로에서 5V 스위치 NMOS 트랜지스터를 제거함으로써 읽기 동작 시 BL의 프리차징 시간을 줄여 액세스 시간을 줄였고 데이터 센싱 시 DB 전압과 기준전압 간의 전압차 ΔV를 0.2VDD 정도 확보하여 출력 데이터의 신뢰도를 높였다. 매그나칩반도체 0.18μm EEPROM 공정으로 설계된 256Kb EEPROM IP의 액세스 시간은 45.8ns 이며 레이아웃 면적은 1571.625μm × 798.540μm이다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 모의실험 및 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - F. Xu / 2004 / Key Design Techiques of A 40ns 16K Bits Embedded EEPROM Memory / Communication, Circuits and System 2 : 1516 ~ 1520
2. [학술지(정기간행물)] - A. Conte / 2005 / A High-Performance Very Low - Voltage Current Sense Amplifier for Nonvolatile Memory / IEEE J. Solid-State Circuits 40 (2)
3. [학술대회논문] - M. Hatanaka / 2007 / Value Creation in SOC/MCU Applications by Embedded Non-Volatile Memory Evolutions / Asian Solid tate Circuits Conference : 38 ~ 42
4. [학술지(정기간행물)] - 조규삼 / 2009 / 터치스크린 컨트롤러용 저면적, 저전력, 고속 128Kb EEPROM IP 설계 / 한국정보통신학회논문지 13 (12) : 2633 ~ 2640
5. [학술지(정기간행물)] - Du-Hwi Kim / 2010 / Design of an EEPROM for a MCU with the Wide Voltage Range / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 10 (4) : 316 ~ 324
2. [학술지(정기간행물)] - A. Conte / 2005 / A High-Performance Very Low - Voltage Current Sense Amplifier for Nonvolatile Memory / IEEE J. Solid-State Circuits 40 (2)
3. [학술대회논문] - M. Hatanaka / 2007 / Value Creation in SOC/MCU Applications by Embedded Non-Volatile Memory Evolutions / Asian Solid tate Circuits Conference : 38 ~ 42
4. [학술지(정기간행물)] - 조규삼 / 2009 / 터치스크린 컨트롤러용 저면적, 저전력, 고속 128Kb EEPROM IP 설계 / 한국정보통신학회논문지 13 (12) : 2633 ~ 2640
5. [학술지(정기간행물)] - Du-Hwi Kim / 2010 / Design of an EEPROM for a MCU with the Wide Voltage Range / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 10 (4) : 316 ~ 324
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