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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.6
- 수록면
- 312 - 320 (9page)
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본 논문에서는 110nm eFlash 셀을 사용한 512Kb eFlash IP를 설계하였다. eFlash 셀의 프로그램, 지우기와 읽기 동작을 만족시키는 row 구동회로(CG/SL 구동회로), write BL 구동회로( write BL 스위치 회로와 PBL 스위치 선택 회로), read BL 스위치 회로와 read BL S/A 회로와 같은 eFlash 코어회로(Core circuit)를 제안하였다. 그리고 프로그램 모드에서 9.5V와 erase 모드에서 11.5V의 VPP(Boosted Voltage) 전압을 공급하는 VPP 전압 발생기 회로는 기존의 단위 전하펌프 회로로 cross-coupled NMOS 트랜지스터를 사용하는 대신 body 전압을 ground에 연결된 12V NMOS 소자인 NMOS 프리차징 트랜지스터의 게이트 노드 전압을 부스팅하는 회로를 새롭게 제안하여 VPP 단위 전하펌프의 프리차징 노드를 정상적으로 VIN(Input Voltage) 전압으로 프리차징 시켜서 VPP 전하펌프 회로의 펌핑 전류를 증가시켰다. 펌핑 커패시터로는 PMOS 펌핑 커패시터에 비해 펌핑전류가 크고 레이아웃 면적이 작은 12V native NMOS 펌핑 커패시터를 사용하였다. 한편 110nm eFlash 공정을 기반으로 설계된 512Kb eFlash 메모리 IP의 레이아웃 면적은 933.22㎛ × 925㎛ (=0.8632㎟)이다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 회로 설계
3. 모의실험 결과
4. 결론
REFERENCES
참고문헌 (18)
참고문헌 신청
H. Hidaka / 2017 / Embedded Flash Memory for Embedded Systems: Technology, Deign for Sub-systems, and Innovations / Springer International Publishing
M. Hatanaka / 2007 / Value Creation in SOC/MCU Applications by Embedded Non-Volatile Memory Evolutions / Asian Solid State Circuits Conference :38~42
Y. H. Kim / 2018 / Design of 40ns 512kb EEPROM IP / The 4th ICIECT :245~256
박헌 / 2017 / 대용량 EEPROM 메모리 셀 검증용 모듈 회로 설계 / 한국정보전자통신기술학회 논문지 10(2):176~183
조규삼 / 2009 / 터치스크린 컨트롤러용 저면적, 저전력, 고속 128Kb EEPROM IP 설계 / 한국정보통신학회논문지 13(12):2633~2640
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