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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.11
- 수록면
- 129 - 132 (4page)
이용수
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In this work, capacitance-voltage (CV) characterization of n-type ultra-thin-body (UTB) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) device is performed. First, imaginary simulation works are carried out in terms of minority carrier mobility, gate oxide thickness, and substrate thickness for independently identifying their individual effects on CV characteristics of MOS capacitor (MOSCAP). The body thickness of the MOSCAP is controlled from the thickness larger than the maximum depletion region width (Wdm) down to values thinner than Wdm. Finally, the UTB MOSFETs with different body thicknesses are simulated for CV characterization by non-quasi-static (NQS) analysis.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅳ. 결론 및 향후 연구
참고문헌
참고문헌 (0)
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