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학술저널
저자정보
전종석 (인천대학교) 조성호 (인천대학교) 최혜지 (인천대학교) 박종태 (인천대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제21권 제9호
발행연도
2017.9
수록면
1,627 - 1,634 (8page)

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비정질 InGaZnO 박막 두께가 다른 무접합 트랜지스터를 제작하고 두께에 따른 양과 음의 게이트 스트레스 전압 및 빛을 비춘 상태에서 소자 불안정성을 분석하였다. 채널 박막 두께가 얇을수록 게이트 스트레스 및 빛이 인가된 상태에서 문턱전압 및 드레인 전류 변화가 큰 것을 알 수 있었다. 그 원인을 stretched-exponential 모델과 소자 시뮬레이션을 수행하여 설명하였다. 박막이 얇을수록 캐리어 트랩핑 시간이 짧기 때문에 전자나 홀이 빨리 활성화되는 것과 채널 박막의 뒷부분에서 채널의 수직 전계가 증가하여 전자나 홀을 많이 축적할 수 있는 것으로 설명하였다. IGZO 무접합 트랜지스터 제작에서 채널 박막의 두께를 결정할 때 채널 박막 두께가 얇을수록 소자 불안정성이 큰 것을 고려해야 됨을 알 수 있다.
#InGaZnO 박막 트랜지스터 #무접합 트랜지스터 #소자 불안정성 #박막 두께 #InGaZnO thin film transistor #Junctionless transistor #Device instability #Thin film thickness

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (19)

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J. Park, C. S. Kim, Y.S. Kim, Y. C. Park, H. J. Park, B. S. Bae, J. S. Park, and H. S. Kim, “The effect of ITO and Mo electrodes on the properties and stablity of In-Ga-Zn-O thin film transistors,” Journal of Electronics, vol. 36, no. 1, pp. 129-134, Jun. 2016. J. R. Yim, S. Y. Jung, H. W. Yeon, J. Y. Kwon, Y. J. Lee, J. H. Lee, and Y. C. Joo, “Effect of Metal Electrode on the Electrical Performance of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.51, pp. 011401-1-5, Dec. 2011. Y. Ueoka, Y. Ishikawa, J. P. Bermundo, H. Yamazki, S. Urakawa, Y. Osada, M.. Horita, and Y. Uraoka, “Effect of contact material on amorphous InGaZnO thin-film transistor characteristics,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.53, pp.03CC04-1-5, Feb. 2014. J. Jiang, J. Sun, W. Dou, and Q. Wan, “Junctionless flexible oxide based thin film transistors on paper substrates,” IEEE Electron Device Letters, vol.33, no.1, pp.65-67, Jan. 2012. J. Zhou, G. Wu, L. Guo, L. Zhu, and Q. Wan, “Flexible transparent junctionless TFTs with oxygentuned Indium-Zin-Oxide channels,” IEEE Electron Device Letters, vol.34, no.2, pp.888-890, Feb. 2013.

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