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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
안정훈 (Sungkyunkwan University) 이병국 (Sungkyunkwan University) 김종수 (Daejin University)
저널정보
전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제19권 제3호
발행연도
2014.6
수록면
283 - 289 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2014

Si MOSFET과 GaN FET Power System 성능 비교 평가
안정훈 ,  이병국 ,  김종수 전력전자학회논문지 2014.06 학술저널

2013

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안정훈 ,  이병국 ,  김남준 외 1명 전력전자학회 학술대회 논문집 2013.11 학술대회자료

초록· 키워드

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This paper carries out a series of analysis of power system using Gallium Nitride (GaN) FET which has wide band gap (WBG) characteristics comparing to conventional Si MOSFET-used power system. At first, for comparison of each semiconductor device, the switching-transient parameter is quantitatively extracted from released information of GaN FET. And GaN FET model which reflect this dynamic property is configured. By using this model, the performance of GaN FET is analyzed comparing to Si MOSFET. Also, in order to enable a representative assessment on the power system level, Si MOSFET and GaN FET are applied to the most common structure of power system, full-bridge, and each power systems are compared based on various criteria, such as performance, efficiency and power density. The entire process is verified with the aid of mathematical analysis and simulation.
#gallium nitride FET (GaN FET) #wide band gap device (WBG device) #high electron mobility transistor (HEMT) #power system, phase-shift full bridge converter (PSFB converter)

목차

Abstract
1. 서론
2. GaN FET 특성 분석
3. GaN FET Power System
4. 결론
References

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - Kaminski. N / 2009 / State of the Art and Future of Wide Band-Gap Devices / Proc, EPE '09 13th European Conference on, Barc google schola 2. [학술지(정기간행물)] - S. J. Pearton / 2000 / GaN Electronics for High Power, High Temperature Applications / Electrochem. Soc. Interface 9 (2) : 34 ~ 39 google schola 3. [기타자료] - M.J. Rosker / 2008 / NEXT Program, Dec 3th google schola 4. [학술대회논문] - M. Rosker / 2009 / The DARPA Wide Band Gap Semiconductors for RF Applications (WBGS-RF) Program / CS MANTECH Conf. google schola 5. [보고서] - DGA / 2010 / European Scenario for GaN and SiC for Microwave Applications google schola

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