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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.11
- 수록면
- 597 - 597 (1page)
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근적외선은 750 에서 1,400 nm 범위의 비교적 짧은 파장의 적외선 영역으로 생체의학, 통신, 드론, LIDAR 등의 다양한 영역에서 활용된다. 일반적으로 근적외선 영역의 광 검출기를 제작하기 위해서는 상대적으로 높은 밴드갭을 갖는 화합물 반도체들을 주로 사용한다. 본 실험에서는 TCAD 시뮬레이션을 통해 AlGaAs/GaAs 의 조성, 두께 및 Doping 농도에 따른 반응 특성을 분석하였고, 근적외선 영역인 850 nm 의 파장대역만을 Selectivity 하게 검출할 수 있는 Photo Sensor 를 설계하였다. 본 실험에서는 850 nm 의 파장대역만을 선택적으로 검출하기 위해 AlGaAs/GaAs Photo Sensor 를 제작하였다. 먼저 UID-GaAs 기판 위에 희생층으 ... 전체 초록 보기
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