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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 12 - 15 (4page)
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In this paper, we present an analysis of the trap-assisted tunneling (TAT) area on gate-induced drain leakage (GIDL) current variation by the slow trap in silicon using an analytical equations. And, TAT current variation is compared with the type of charge carrier. Finally, we compared TAT GIDL current variation by slow trap in oxide with silicon region depending on the perpendicular distance of the slow trap from the interface and temperature.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
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