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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
Ⅴ. 참고문헌
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Atomic Layer Epitaxy 법에 의한 TiN 박막의 성장과 그 특성 ( Growth and Characteristics of TiN Thin Films by Atomic Layer Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
ALE 법에 의한 TiN 박막의 증착 및 특성 ( Deposition and Characteristics of TiN Thin Films by Atomic Layer Epitaxy )
전자공학회논문지-SD
2000 .06
Atomic Layer Epitaxy를 이용한 Al2O3 유전 박막의 성장과 박막 특성의 연구
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
원자층 증착법으로 형성한 TiN 박막의 특성 연구
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
Atomic Layer Epitaxy 방법으로 $Al(CH_3)_3$을 사용하여 성장한 $Al_2O_3$ 박막의 특성연구
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
MOVPE 단결정층 성장법 : Ⅲ. 원자층 성장법
한국표면공학회지
1990 .12
Atomic Layer Epitaxy ( ALE ) 방법으로 제작된 ZnS : Mn 박막전계발광소자의 전기 , 광학적 특성 ( Electrical and Optical Characteristics of ZnS : Mn Thin-film Electroluminescent ( TFEL ) Devices grown by Atomic Layer Epitaxy )
전자공학회논문지-D
1998 .02
유기소스 원자층 증착법으로 증착된 TiN 박막의 특성 연구
한국재료학회 학술발표대회
2002 .01
The Fabrication of Tin Oxide Films by Atomic Layer Deposition using Tetrakis(Ethylmethylamino) Tin Precursor
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2009 .01
Effects of Seed Layer and Thermal Treatment on Atomic Layer Deposition-Grown Tin Oxide
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2010 .01
Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1992 .07
Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석
대한전자공학회 학술대회
1992 .06
Ti/TiN/Ti buffer layer/TiN 구조를 갖는 TiN 박막의 충격마모특성에 관한 연구
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2001 .11
Silicon Epitaxy
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
고상 에피택시에 의한 초박막 $CoSi_2$ 형성과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장
한국재료학회지
1998 .01
TiN 에 대한 W의 부착특성에 관한 연구(l)
한국재료학회지
1993 .01
Role of a PVA layer During lithography of SnS<sub>2</sub> thin Films Grown by Atomic layer Deposition
반도체디스플레이기술학회지
2018 .01
이온빔보조증착에 의한 TiN 박막의 특성
한국표면공학회 학술발표회 초록집
1998 .05
Selective Silicon Epitaxy에 대한 연구 ( Study on the Selective Silicon Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
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