Atomic Layer Epitaxy 방법으로 $Al(CH_3)_3$을 사용하여 성장한 $Al_2O_3$ 박막의 특성연구

윤선진 ,  김혜림 ,  이중환 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

Atomic Layer Epitaxy 법에 의한 TiN 박막의 성장과 그 특성 ( Growth and Characteristics of TiN Thin Films by Atomic Layer Epitaxy )

이종화 ,  김동진 ,  이명복 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

Atomic Layer Epitaxy 법에 의한 TiN 박막의 성장과 그 특성

이종화 ,  김동진 ,  이명복 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

ALD법으로 성장시킨 Al₂O₃ 박막의 특성분석

성석제 ,  김동진 ,  배영호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2001 .06

박막 자기 Head의 개발

한국전자산업진흥회

전자진흥

1985 .01

Sb₂S₃ 박막의 광도전 및 유전특성

윤영훈 ,  최규만 ,  김기완

대한전자공학회 학술대회

1985 .06

DCS Post Flow 가 WSi_x 박막 특성에 미치는 영향

鄭陽喜 ,  姜聲俊 ,  姜喜淳

전기학회논문지 C

2003 .04

결정상에 대한 고용체가 Bi₂Sr₂Ca_n-1Cu_nO_x(n=0, 1, 2) 박막의 특성에 미치는 영향

양승호 ,  이호식 ,  박용필

한국정보통신학회논문지

2007 .06

ALE 법에 의한 TiN 박막의 증착 및 특성 ( Deposition and Characteristics of TiN Thin Films by Atomic Layer Epitaxy )

김동진 ,  정영배 ,  이명복 외 4명

전자공학회논문지-SD

2000 .06

Atomic Layer Epitaxy ( ALE ) 방법으로 제작된 ZnS : Mn 박막전계발광소자의 전기 , 광학적 특성 ( Electrical and Optical Characteristics of ZnS : Mn Thin-film Electroluminescent ( TFEL ) Devices grown by Atomic Layer Epitaxy )

이순석 ,  윤선진 ,  임성규

전자공학회논문지-D

1998 .02

Al-Al2O3-Al 박막구조의 전기적 특성

성영권 ,  민남기

대한전자공학회 심포지엄 논문집

1978 .01

Al-Al2O3-Al 박막구조의 전기적 특성

성영권 ,  민남기

대한전자공학회 학술대회

1978 .01

MOVPE 단결정층 성장법 : Ⅲ. 원자층 성장법

정원국

한국표면공학회지

1990 .12

Zn^xSr₁^-xS 박막의 제작과 특성에 관한 연구

이상태

한국정보통신학회논문지

2001 .10

Molecular Beam Epitaxy법으로 성장된 Hg0.8 Cd 00.2 Te박막에 대한 수소화 효과

김문덕 ,  한명수 ,  백정훈 외 8명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

SiC 에피 박막 성장기술

서한석 ,  방욱

조명·전기설비

2016 .03

기능성 향상을 위한 Al과 Al-Si 박막의 증착 및 특성 연구

박혜선 ,  양지훈 ,  정재훈 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2012 .05