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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.6 No.3
- 발행연도
- 2006.9
- 수록면
- 162 - 168 (7page)
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To fabricate nanometer scale InGaAs HEMTs, we have successfully developed various novel nano-patterning techniques, including sidewall-gate process and e-beam resist flowing method. The sidewall-gate process was developed to lessen the final line length, by means of the sequential procedure of dielectric re-deposition and etch-back. The e-beam resist flowing was effective to obtain fine line length, simply by applying thermal excitation to the semiconductor so that the achievable final line could be reduced by the dimension of the laterally migrated e-beam resist profile. Applying these methods to the device fabrication, we were able to succeed in making 30㎚ In<SUB>0.7</SUB>Ga<SUB>0.3</SUB>As HEMTs with excellent f<SUB>T</SUB> of 426㎓. Based on nanometer scale InGaAs HEMT technology, several high performance millimeter-wave integrated circuits have been successfully fabricated, including 77㎓ MMIC chipsets for automotive radar application.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. NANO-PATTERNING TECHNIQUES
Ⅲ. CHARACTERISTICS OF INGAAS NANO-HEMTS
Ⅳ. APPLICATION TO MILLIMETER-WAVE MMICS
Ⅴ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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