역 이중채널 구조를 이용한 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT의 특성

안광호 ,  정영한 ,  배병숙 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

Fabrication and Characterization of 0.2um T-shaped gate AlGaAs / InGaAs P-HEMTs

배창민 ,  서은성 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

0.25㎛ T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계

김진명 ,  전영진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

델타도핑 AlGaAs / InGaAs HEMT 구조의 MOCVD 성장 ( MOCVD Growth of Delta-Doped AlGaAs / InGaAs HEMT Structures )

양계모 ,  박상규 ,  황석원 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AIGaAs / InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of Si Delta Doped AlGaAs / InGaAs Double Channel P-HEMTs Grown by LP-MOCVD for Power Application )

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device )

이진희 ,  윤형섭 ,  강석봉 외 7명

전자공학회논문지-A

1994 .09

mm파 AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PM-HEMT 제작 연구

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

0.25㎛ T형 게이트 AIGaAs / InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계 ( The Fabrication of 0.25mm T-shaped Gate AlGaAs / InGaAs P-HEMT and It`s Application to the Input-Matched 3 Stage X-Band LNA Design )

김진명 ,  전연진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

저압 MOCVD법을 이용한 Si델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs의 전기적 특성

전영진 ,  정영한 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

Design of AlGaAs / InGaAs P-HEMT Modulator Driver IC for 10Gbps Optical Communication System

주원재 ,  양성기 ,  백승원 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

개선된 T - gate 기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs / InGaAs / GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성 ( A Super Low Noise Characteristics of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs Fabricated by the Improved T - Gate )

이진희 ,  윤형섭 ,  최상수 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .03

AlGaAs/GaAs/AlGaAs 이중 이종접합 HEMT구조에서의 2차원 전자개스농도의 양자역학적 계산 ( Quantum Mechanical Calculation of Two-Dimensional Electron Gas Density in AlGaAs/GaAs/AlGaAs Double-Heterojunction HEMT Structures )

윤경식 ,  이정일 ,  강광남

전자공학회논문지-A

1992 .03

Wide Head T-Gate를 갖는 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자를 사용한 10Gbps 초고속 전치증폭기 설계 ( Design of 10Gps High speed Preamplifier Using AlGAAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT Device with Wide Head T-Gate )

양광진 ,  백정기 ,  홍창희 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

HEMT 소자 제작을 위한 GaAs/AlGaAs층의 선택적 건식식각 ( Selective Dry Etching of GaAs/AlGaAs Layer for HEMT Device Fabrication )

김흥락 ,  서영석 ,  양승주 외 4명

전자공학회논문지-A

1991 .11

MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs HEMT의 제작 ( Fabrication of AlGaAs / GaAs HEMT From MOCVD Water )

엄경숙 ,  김용 ,  김무성 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PHEMT 설계ㆍ제작

이응호 ,  조승기 ,  윤용순 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

AlGaAs / InGaAs / GaAs 이종접합 양자선 - FET의 제작 및 특성

손영진 ,  이봉훈 ,  정문영 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2000 .11