Characteristics of the Strain Balanced In GaAs / InGaP Surface Normal MQW Optical Modulators

Yoo Jong Lee ,  Min Joon Kim ,  Sam Gil Choi

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

1998 .01

반사형 InGaAs mqw seed 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of Reflection Type InGaAs MQW SEED )

김성우 ,  박성수 ,  박종철 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .11

반사형 InGaAs MQW SEED 소자의 제작 및 특성

김성우 ,  박성수 ,  박종철 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1994 .07

Growth and Characterization of InGaP/InGaAs p-HEMT Using Compound Source MBE

J. H. Kim ,  S. J. Kang ,  S. J. Jo 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

InGaAs / InGaAsP MQW Structure Grown on Corrugated Substrate

오경석 ,  강중구 ,  이수원 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

GROWTH of InGaAs/InGaP QUANTUM DOTS FOR LONG WAVELENGTH VCSELs APPLICATION

Kim ,  S. ,  E 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

선택영역 에피택시를 사용한 InGaAs / InGaAsP MQW 광흡수 변조기 / DFB LD 집적소자의 제작 및 그 특성 ( InGaAs / InGaAsP MQW Electroabsorptive Modulator Integrated DBF LD Fabricated by Selective Area Epitaxy )

김남헌 ,  조승룡 ,  이상동 외 8명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

선택영역 에피택시를 사용한 InGaAs / InGaAsP MQW 광흡수 변조기 / DFB LD 집적소자의 제작 및 그 특성 ( InGaAs / InGaAsP MQW Electroabsorption Modulator Integrated DFB-LD Fabricated by Selective Area Epitaxy )

김남선 ,  조승룡 ,  이상동 외 7명

한국통신학회 기타 간행물

1998 .01

선택영역 에피택시를 사용한 InGaAs/InGaAsP MQW 광흡수 변조기 / DFB LD 집적소자의 제작 및 그 특성 ( InGaAs / InGaAsP MQW Electroabsorptive Modulator Integrated DFB LD Fabricated by Selective Area Epitaxy )

김남헌 ,  조승룡 ,  이상동 외 7명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

MOCVD에 의한 InGaAs, InGaP 및 InGaAsP필름의 성장 및 조성변화에 대한 수치해석 연구

임익태 ,  김동석 ,  김우승

반도체및디스플레이장비학회지

2005 .01

InGaAs/GaAs MQWs 구조의 Photoreflectance 및 Photoluminescence 특성 연구

유재인 ,  이제훈 ,  신동식 외 2명

한국레이저가공학회 학술대회 논문집

2004 .01

SAG-MQW을 이용한 선형 EA 광변조기 ( Linear EA Modulators Using Selective Area Grown MQW )

이창현 ,  한상국

한국통신학회 기타 간행물

1998 .01

1.55 m MQW EA-Modulator의 구조변수가 소광특성 및 chirp에 미치는 영향

권진우 ,  심종인 ,  어영선

한국통신학회 기타 간행물

2001 .10

원자 규칙화 정도에 따른 InGaP double layer에 대한 연구

조제희 ,  성태연

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

GROWTH AND CHARACTERIZATION OF InGaAs/InGaP QUANTUM DOTS FOR MID-INFRARED PHOTOCONDUCTIVE DETECTOR

Kim ,  S. ,  E 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

CBE법으로 성장시킨 InGaAs / InGaAsP MQW을 활성층으로 하는 DFB 레이저 다이오드의 동작특성 ( Performance Characteristics of CBE-Grown InGaAs / InGaAsP MQW DFB Laser Diode )

박경현 ,  우덕하 ,  한일기 외 3명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

1.55㎛ 레이저 다이오드 제작을 위한 고품의 InGaAs/InGaAsP/InPSCH MQW의 CBE성장

송진동 ,  유재수 ,  이용탁

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1999 .05

Design of AlGaAs / InGaAs P-HEMT Modulator Driver IC for 10Gbps Optical Communication System

주원재 ,  양성기 ,  백승원 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MQW 광변조기의 변조대역폭 확대를 위한 실장 기생 인덕턴스의 최적화 ( Optimization of Parasitic Inductance for Maximizing the Modulation Bandwidth of MQW Modulators )

김병남 ,  이해영

전자공학회논문지-D

1997 .06

CBE법으로 성장시킨 InGaAs / InGaAsP MQW을 활성층으로 하는 DFB 레이저 다이오드의 동작특성 ( Performance Characteristice of CBE - grown InGaAs / InGaAsP MQW DFB Laser Diode )

박경현 ,  우덕하 ,  한일기 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01