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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1995.12
- 수록면
- 627 - 630 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
1995
H2 / SiH4 와 마이크로웨이브 출력에 따른 ECRPCVD A-Si:H 박막의 특성
강문상
,
이진엽
,
전법주
외 4명
대한전자공학회 학술대회
1995.12
학술대회자료
H2 / SiH4 와 마이크로웨이브 출력에 따른 ECRPCVD A-Si : H 박막의 특성 ( The Characteristic of A-Si : H Films prepared by ECRPCVD As a Function of H2 / SiH4 and Microwave Power )
강문상
,
이진엽
,
전범주
외 4명
대한전자공학회 학술대회
1995.11
학술대회자료
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목차
요약
I. 서론
II. 실험 결과
III. 결론
참고문헌
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H2 / SiH4 와 마이크로웨이브 출력에 따른 ECRPCVD A-Si : H 박막의 특성 ( The Characteristic of A-Si : H Films prepared by ECRPCVD As a Function of H2 / SiH4 and Microwave Power )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
-
ECRPCVD 방법을 이용한 A-Si:H 박막의 기판온도 변화에 따른 수소 농도와 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
-
ECRPCVD 방법을 이용한 A-Si : H 박막의 기판온도 변화에 따른 수소 농도와 전기적 특성 ( The Effectof Hydrogen on the Electrical Properties of A-Si : H Films Prepared by ECRPCVD as a Function of Substrate Temperature )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
-
ECRPCVD 방법으로 증착한 수소화된 비정질 실리콘 박막의 광학 및 전기적 특성에 관한 연구 ( A Study on the optical and Electrical Characteristics of Hydrogenated Amorphous Silicon Films Prepared by ECRPCVD )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
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SiH₄-H₂계에서 유체유동이 Si의 화학증착에 미치는 영향
한국표면공학회지
1990 .09
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SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
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SiH4/H2 혼합기체를 multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2012 .07
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SiH₄ 플라즈마중의 전자수송특성 해석
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
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SiH₄/H₂ 혼합기체를 Multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구
전기학회논문지
2014 .02
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$SiH_4$ 첨가에 의한 저유전율 SiOF 박막의 유전 특성 안정화
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
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SiH4/NH3/N2 및 SiH4/NH3/Ar 유량비율이 PECVD SiNx : H 박막의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Flow Rate Ratios of SiH4/NH3/N2 and SiH4/NH3/Ar on the Properties of PECVD SiNx : H Films )
전자공학회논문지
1988 .05
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박막 태양전지용 SiH₄ PECVD system의 수치 모델링
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2010 .05
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증착 압력이 a-Si:H막의 전도도와 광학적 특성에 미치는 영향
공업화학
1999 .01
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SiH₄-Ar혼합기체의 전자분포함수 해석
전기학회논문지 P
2004 .06
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SiH₄+Ar혼합기체의 전자군 파라미터 해석
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .06
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Contact Barrier metal용 LPCVD W막의 전기적 특성에 대한 $SiH_4/WF_6$비의 효과
한국재료학회지
1993 .01
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ECRPCVD 방법을 이용한 수소화된 비정질 실리콘 박막의 증착과 광학적 특성에 관한 연구 ( Deposition and Optical Characteristics of the Hydrogenated Amorphous Silicon Films Using ECR Plasma CVD )
대한전자공학회 학술대회
1995 .07
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SiH₄-N₂ 혼합가스에서 成長된 PECVD a-SiNx : J薄膜의 成長條件과 特性의 相關性
전기학회논문지
1986 .05
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SiH₄를 이용한 텅스텐의 화학증착시 압력증가가 증착에 미치는 영향
한국표면공학회지
1993 .02
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