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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.7
- 수록면
- 853 - 854 (2page)
이용수
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Electron mobility of high electron mobility transistor(HEMT) is increased at low temperature dut to reduction of the impurity and lattice scattering. In compliance with this fact, metamorphic high electron mobility transistor(m ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자의 구조 및 제작 과정
Ⅲ. 소자의 특성 측정 결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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