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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.12
- 수록면
- 41 - 46 (6page)
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본 논문에서는 0.1 ㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT기술을 기반으로 하여 D-Band(110 - 140 ㎓) 대역에서 동작하는 MMIC 2단 구동 증폭기를 제작하였다. 제작된 구동 증폭기는 밀리미터파 대역인 110 ㎓에서 10 ㏈ 이상의 우수한 S21 이득 특성을 보였으며, 이때 반사 특성 또한 S<SUB>11</SUB> -3.5 ㏈와 S<SUB>22</SUB> -6.5 ㏈로 양호한 특성을 얻었다. 이러한 높은 성능의 MMIC 구동증폭기의 특성은 주로 MHEMT성능에 기인한다. 본 논문에서 적용한 0.1 ㎛ MHEMT는 760 mS/㎜의 전달컨덕턴스 특성과 195 ㎓의 차단주파수 391 ㎓의 최대공진 주파수 특성을 갖는다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - B.H. Lee / 2006 / Low Conversion Loss and High LO-RF Isolation 94-GHz Active Converter / IEEE Trans. Microwave Theory Tech 54 (6) : 2422 ~ 2430
2. [학술지(정기간행물)] - J.D. Park / 2006 / An Efficient Method of Eliminating the Range Ambiguity for a Low-Cost FMCW Radar Using VCO Tuning Characteristics / IEEE Trans. Microwave Theory Tech 54 (10) : 3623 ~ 3629
3. [학술지(정기간행물)] - B.H. Lee / 2004 / Two-Stage Broadband High-Gain W-band Amplifier Using 0.1-µm Metamorphic HEMT Technology / IEEE Elec. Device Letters 25 (12) : 766 ~ 768
4. [학술지(정기간행물)] - C. S. Whelan / 2000 / Low Noise In0.32(AlGa)0.68As/In0.43Ga0.57As Metamorphic HEMT on GaAs substrate with 850 mW/mm output power density / IEEE Elec. Device Lett 21 (1) : 5 ~ 8
5. [학술지(정기간행물)] - Bok-Hyung Lee / 2003 / High Maximum Frquency of Oscillation of 0.1 ㎛ Off-set Γ-ShapedGate InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMTs / J. Korean Phys. Soc 43 (6) : 427 ~ 430
2. [학술지(정기간행물)] - J.D. Park / 2006 / An Efficient Method of Eliminating the Range Ambiguity for a Low-Cost FMCW Radar Using VCO Tuning Characteristics / IEEE Trans. Microwave Theory Tech 54 (10) : 3623 ~ 3629
3. [학술지(정기간행물)] - B.H. Lee / 2004 / Two-Stage Broadband High-Gain W-band Amplifier Using 0.1-µm Metamorphic HEMT Technology / IEEE Elec. Device Letters 25 (12) : 766 ~ 768
4. [학술지(정기간행물)] - C. S. Whelan / 2000 / Low Noise In0.32(AlGa)0.68As/In0.43Ga0.57As Metamorphic HEMT on GaAs substrate with 850 mW/mm output power density / IEEE Elec. Device Lett 21 (1) : 5 ~ 8
5. [학술지(정기간행물)] - Bok-Hyung Lee / 2003 / High Maximum Frquency of Oscillation of 0.1 ㎛ Off-set Γ-ShapedGate InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMTs / J. Korean Phys. Soc 43 (6) : 427 ~ 430
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