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저자정보
최석규 (동국대학교) 백용현 (동국대학교) 한민 (동국대학교) 이성대 (동국대학교) 이진구 (동국대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2006년 하계종합학술대회
발행연도
2006.6
수록면
211 - 212 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2007

기존의 MHEMT와 InP 합성 채널 MHEMT의 소자의 항복 특성 분석 및 비교 연구
최석규 ,  백용현 ,  한민 외 3명 전자공학회논문지-SD 2007.12 학술저널
InP-합성 채널 MHEMT의 리세스 폭의 변화에 대한 주파수 특성과 항복 전압에 관한 비교 연구
최석규 ,  백용현 ,  오정훈 외 3명 대한전자공학회 학술대회 2007.07 학술대회자료
InP-합성 채널 MHEMT의 리세스 폭의 변화에 대한 주파수 특성과 항복 전압에 관한 비교 연구
최석규 ,  백용현 ,  오정훈 외 3명 대한전자공학회 학술대회 2007.07 학술대회자료

2006

높은 항복전압을 위한 InP 합성 채널 MHEMT의 성능과 특성에 대한 연구
최석규 ,  백용현 ,  한민 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2006.06 학술대회자료

초록· 키워드

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To perform the comparative study, we experimented on two differential epitaxial structures, the conventional Metamorphic High Electron Mobility Transistor (MHEMT) using the InAlAs/InGaAs structure and the InP-composite channel MHEMT adopting the InAlAs/InGaAs/InP/n-InP structure. Com ... 전체 초록 보기

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