개인구독
소속 기관이 없으신 경우, 개인 정기구독을 하시면 저렴하게
논문을 무제한 열람 이용할 수 있어요.
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.6
- 수록면
- 116 - 120 (5page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
본 논문에서는 밀리미터파 응용에 사용 가능한 우수한 성능의 50 nm InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT를 구현하였다. 게이트 길이가 50 nm이며 단위 게이트 폭이 30 인 2개의 게이트를 가지고 있는 MHEMT의 측정결과, 740 mA/mm의 드레인 포화 전류밀도와 1.02 S/mm의 상호전달 전도도를 얻었으며 전류이득차단주파수와 최대공진주파수는 각각 430 GHz와 406 GHz의 특성을 나타내었다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
Y. Yamashita / 2002 / Pseudomorphic In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMTs with an ultra high fT of 562 GHz / IEEE Electron Device Lett. 23(10):573~575
W. R. Deal / 2011 / Low Noise Amplification at 0.67 THz Using 30nm InP HEMTs / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 21(7):368~370
K. Shinohara / 2004 / 547 GHz fT In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As HEMTs with reduced source and drain resistance / IEEE Electron Device Lett. 25(5):241~243
T. Suemitsu / 2002 / 30-nm two-step recess gate InP-Based InAlAs/InGaAs HEMTs / IEEE Trans. Electron Devices 49(10):1694~1700
K. Shinohara / 2001 / Ultrahigh-speed pseudomorphic InGaAs/InAlAs HEMTs with 400-GHz cutoff frequency / IEEE Electron Device Lett. 22(11):507~509
W. R. Deal / 2011 / Low Noise Amplification at 0.67 THz Using 30nm InP HEMTs / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 21(7):368~370
K. Shinohara / 2004 / 547 GHz fT In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As HEMTs with reduced source and drain resistance / IEEE Electron Device Lett. 25(5):241~243
T. Suemitsu / 2002 / 30-nm two-step recess gate InP-Based InAlAs/InGaAs HEMTs / IEEE Trans. Electron Devices 49(10):1694~1700
K. Shinohara / 2001 / Ultrahigh-speed pseudomorphic InGaAs/InAlAs HEMTs with 400-GHz cutoff frequency / IEEE Electron Device Lett. 22(11):507~509
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2017-056-001396722