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논문 기본 정보
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- 발행연도
- 2006.6
- 수록면
- 239 - 242 (4page)
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This paper reports a high power 60 ㎓ push-push oscillator fabricated using 0.12 ㎛ metamorphic high electron-mobility transistors (mHEMTs). The devices with a 0.1 ㎛ gate-length exhibited good DC and RF characteristics such as a maximum drain current of 700 ㎃/㎜, a peak gm of 660 ㎳/㎜, and an fr of 170 ㎓. By combining two sub-oscillators having 6 × 50 ㎛ periphery mHEMT, the push-push oscillator achieved a 6.3 dBm of output power at 59.5 ㎓ with more than -35 dBc fundamental suppression. This is one of the highest output power obtained using mHEMT technology without buffer amplifier, and demonstrates the potential of mHEMT technology for cost effective millimeter-wave co㎜ercial applications.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. MHEMT의 에피층과 제작 공정
Ⅲ. Push-Push 발진기 설계
Ⅳ. 측정 및 결과
Ⅴ. 결론
Acknowledgments
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