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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第45卷 第8號
발행연도
2008.8
수록면
48 - 53 (6page)

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본 논문에서는 100 nm InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT (high electron mobility transistor)를 이용하여 94 ㎓ 대역 응용에 적용 가능한 MMIC (millimeter-wave monolithic integrated circuit) 저잡음 증폭기를 구현하였다. 94 ㎓ MMIC 저잡음 증폭기 구현을 위하여 제작된 100 ㎚ × 60 ㎛ MHEMT의 측정결과, 655 ㎃/㎜의 드레인 전류 밀도, 720 mS/㎜의 최대전달컨덕턴스를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득차단주파수는 195 ㎓, 최대공진주파수는 305 ㎓의 양호한 성능을 나타내었다. 구축된 MHEMT와 CPW 라이브러리를 이용하여 구현된 MMIC 저잡음 증폭기의 측정결과, 94 ㎓에서 S21 이득은 14.8 ㏈, 잡음지수는 4.6 ㏈의 우수한 특성을 얻었다. 전체 칩의 크기는 1.8 ㎜ × 1.48 ㎜이다.
#metamorphic HEMT #MMIC #low noise amplifier #94 ㎓ #100 ㎚

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 100 ㎚ MHEMT 특성
Ⅲ. 94 ㎓ MMIC 저잡음 증폭기
Ⅳ. 결론
참고문헌
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