Solid-Source Si Molecular Beam Epitaxy를 이용한 Si , SiGe 박막의 선택적 성장기술의 연구

윤선진 ,  이승창

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

EPITAXIALLY STABILIZED QUANTUM WELL AND QUANTUM DOT STRUCTURES BASED ON Sn/Si AND $Si_{1-x}Sn_{x}/Si$ HETEROSTRUCTURES

Min ,  Kyu-Sung ,  Atwate 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

고상 에피택시에 의한 초박막 $CoSi_2$ 형성과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장

최치규 ,  강민성 ,  문종 외 3명

한국재료학회지

1998 .01

Li-doped p-type ZnS Grown by Molecular Beam Epitaxy

Sang-Tae Lee

Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET)

2005 .05

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

Solid source Si MBE를 이용하여 Si(100) 기판위에 저온에서 성장된 SiGe 박막의 결정 구조 변화에 관한 연구

이승창 ,  윤선진 ,  박신종 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

I/f Noise in GaAs MESFETs Grown by Molecular Beam Epitaxy

송명호 ,  이헌호 ,  이윤상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .05

선택적 분자선 에피택시 방법에 의한1D-2DEG 혼성 나노선 FET의 구현

김윤주 ,  서유정 ,  노정현 외 6명

전기전자재료학회논문지

2006 .01

Potential-Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 이용한 Si Gex박막성장기술의 연구

윤선진 ,  이승창 ,  김경수

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

CHARACTERIZATION OF Ga0.51In0.49P / GaAs HETEROSTRUCTURES GROWN ON Si SUBSTRATES BY LOW PRESSURE ORGANOMETALLIC VAPOR PHASE EPITAXY

M. K. Lee ,  R. H. Ho ,  ng 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

GaAs/$Al_{x}Ga_{1-x}As$/GaAs 이종구조 위에 구성된 Schottky 다이오드의 전기적 특성에 관한 연구

최영환 ,  이원섭 ,  최광수

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

Photoreflectance Measurement in Si₃N₄/Al_0.21Ga_0.79As/GaAs Heterostructure

Jae-In Yu ,  Hun-Bo Pa ,  k 외 3명

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2005 .04

PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF ZINC OXIDE FILMS DEPOSITION BY ION BEAM ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY

Sung Jin Kim ,  Se-Young Choi

AFORE

2012 .11

Silicon Epitaxy

송성해

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01

라디칼 빔 보조 분자선 증착법 (Radical Beam Assisted Molecular Beam Epitaxy) 법에 의해 성장된 ZnO 박막의 발광 특성에 관한 연구

서효원 ,  변동진 ,  최원국

한국재료학회지

2003 .01

Optical Characterization of Self-Organized InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

S. Cho ,  C. S. Oh ,  C. K. Hahn 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

고상 성장법을 이용한 실리콘 태양전지 에미터 형성 연구

김현호 ,  지광선 ,  배수현 외 7명

Current Photovoltaic Research

2015 .09

고주파 플라즈마 응용 Ionized Source Beam Epitaxy 의한 Gan의 Epi 성장 ( Epitaxial Growth of GaN on Si ( 100 ) / Sapphire ( 0001 ) Using RF Plasma Assisted Ionized Source Beam Epitaxy )

유명철 ,  김태일

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1994 .01

Low-Temperature Hole Mobility in Si / Si0.79 Ge0.21 P-type Modulation Doped Heterostructure

황윤택 ,  김홍습 ,  임삼호 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01