내장된 전송 게이트를 가지는 n-well/gate가 연결된 구조의 PMOSFET형 광검출기의 동작 범위 확장

이수연 ,  서상호 ,  공재성 외 4명

센서학회지

2010 .01

Dynamic Range Improvement of the Active Pixel Sensor Using an N-Well/Gate-Tied PMOSFET-Type Photodetector with a Built-in Transfer Gate

이수연 ,  서상호 ,  서민웅 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

Dynamic Range Extension of a CMOS Active Pixel Sensor with a Gate/Body-Tied PMOSFET-Type Photodetector

Myunghan Bae ,  Sung-Hyun Jo ,  Minho Lee 외 2명

대한전자공학회 ISOCC

2012 .11

고감도 능동픽셀센서를 위한 PMOSFET 광검출기의 특성

박재현 ,  서상호 ,  이준규 외 4명

센서학회지

2003 .01

Gate/Body-Tied PMOSFET-type Photodetector with Correlated Double Sampling Circuit for Noise Reduction

Sung-Hyun Jo ,  Myunghan Bae ,  Minho Lee 외 2명

대한전자공학회 ISOCC

2012 .11

게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )

정우표 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

High Speed CMOS Binary Image Sensor with Gate/Body-Tied PMOSFET-Type Photodetector Using Double-Tail Comparator

Hyeunwoo Kwen ,  Sang-Hwan Kim ,  Jimin Lee 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2019 .11

내장된 전송게이트를 가지는 Gate/Body-Tied PMOSFET 광 검출기의 모델링

이민호 ,  조성현 ,  배명한 외 3명

센서학회지

2014 .01

A 640×480 CMOS Active Pixel Sensor using a PMOSFET Photodetector Operative at a Very Low Illumination Level

Jae-Hyoun Pa ,  k ,  Hoon Kim 외 3명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2005 .07

유효채널 길이가 0.3㎛인 P+Poly Si Gate PMOSFET의 전기적 특성 ( A Study on Deep Submicron P+Poly Si Gate PMOSFET )

김호기 ,  김봉열 ,  이규홍 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )

홍성희 ,  이용수

한국통신학회논문지

1998 .11

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .09

High-Speed CMOS Binary Image Sensor with Gate/Body-Tied PMOSFET-Type Photodetector

최병수 ,  조성현 ,  배명한 외 3명

센서학회지

2014 .01

수정된 수평 전계 모델을 이용한 SC-PMOSFET 의 기판 전류와 게이트 전류의 해석적 모델 ( An Analytical Models for Substrate Current and Gate Current Using Modified Lateral Electric Field Model for Surface-Channel PMOSFET`S )

양광선 ,  박종태 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1994 .01

P+ Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron침투현상에 대한 모델링 및 최적화 ( Modeling and optimization for boron penetration on p+ polysilicon gated PMOSFET )

박종찬 ,  남명희 ,  김현철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

P⁺Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron 침투현상에 대한 모델링 및 최적화

박종찬 ,  남명희 ,  김현철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

Improvement of Boron Penetration and Reverse Short Channel Effect in 130㎚ W/WN_x/Poly-Si Dual Gate PMOSFET for High Performance Embedded DRAM

In-Wook Cho ,  Jae-Sun Lee ,  Kae-Dal Kwack

대한전자공학회 학술대회

2002 .06

A Comparative Study of Hot-Carrier Related Phenomena in P and N type Polysilicon Gate PMOSFETs

Kwang Sun Yang ,  Hoon Soo Pa ,  k 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

CMOS Binary Image Sensor with Gate/Body-Tied PMOSFET-Type Photodetector for Low-Power and Low-Noise Operation

이준우 ,  최평 ,  최병수 외 5명

센서학회지

2018 .01