Ion-implanted E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold전압과의 관계에 관한 연구

손상희 ,  오응기 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1983 .11

Ion-Implemented E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold 전압과의 관계에 관한 연구 ( 1 ) ( A Study on the Relation of Doping Profile and Threshold Voltage in the Ion-Implanted E-IGFET ( 1 ) )

손상희 ,  오응기 ,  곽계달

전자공학회지

1984 .07

Step doping profile 을 갖는 Ion-Implanted D-type

박공희 ,  손상희 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1985 .06

Ion-Implanted Short Channel E-IGFET의 Threshold 전압과 l - V 특성에 관한 연구 ( 2 ) ( A Study on the Threshold Voltage and l - V Characteristics in the Ion-Implanted Short Channel E-IGFET ( 2 ) )

손상희 ,  김홍배 ,  곽계달

전자공학회지

1985 .07

IGFET 채널 전류 밀도의 공간 변조 현상에 관한 연구 ( Space Modulation of the Channel Current Density in IGFET by the Polarized Metal Gates )

나극환

전자공학회지

1984 .07

Ion-Implanted Short Channel E-IGFET의 Threshold 전압과 I-V 특성에 관한 연구 ( 2 ) ( A Study on the Threshold Voltage and I-V Characteristis in the Ion-Implanted Short Channel E-I GFET ( 2 ) )

손상희 ,  오응기 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

IGFET 채널내의 Slow Wave가 복수 게이트상의 전압분포에 미치는 영향에 관한 연구 ( The Influence on the Voltage Distribution of Multi-Gates of IGFET by the Slow Wave )

나극환

전자공학회지

1985 .07

IGFET 채널의 Slow Wave가 복수 게이트상의 전압분포에 미치는 영향에 관한 연구 ( The Influenced on the Voltage Distribution of Multigates of IGFET by the Slow Wave in the Channel )

이동섭 ,  나극환

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

An Improved Short-Channel IGFET Model for MOS VLSI Circuit Simulation and A Combined Methodology for Model Parameter Extraction

Kyoon Hyoung Kim ,  Jin Hyoung Kim ,  Sung Ki Kim 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

Ion-implanted Short-channel MOSFET의 도핑변환과 모델링에 관한 연구 ( A Study on the Doping Transformation and the Modeling of Ion-Implanted Short-Channel MOSFET )

유남옥 ,  손상희 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Ion-implanted Short-channel MOSFET의 도핑 변환과 모델링에 관한 연구

유남옥 ,  손상희 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1985 .06

Ion Mass Doping 에 의한 인의 전기적 활성화에 대한 연구

김진호 ,  주승기

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

Ion Mass Doping 법을 이용한 Phosphorus 주입된 실리콘 박막의 Annealing 특성

강창용 ,  최덕균 ,  주승기

한국표면공학회지

1994 .08

ION IMPLANT UNIFORMITY MAPPING

W. A. Keenan ,  C. B. Ya ,  ling

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

Characteristics of Counter-Doping using ph3 and B2H6 ion Source Gases in Non-Mass Separated ion Doping on Excimer Laser Annealed Poly-Si Film

양준영 ,  최도욱 ,  문대규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Surface Characteristics and Ion Release Behavior of Mg Ion Coated Dental Implant Formed by Ion Beam Assisted Deposition

Seung-Kyun Moon ,  Jae-Sung Kwon ,  Soo-Hyuk Uhm 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

Improved Rs Monitoring for Robust Process Control of High Energy Well Implants

Kim ,  J.H. ,  Kim 외 7명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2007 .01

질소이온주입에 따른 생체안전성 티타늄 임플란트의 마모특성

최종운 ,  손선희 ,  변응선 외 1명

한국안전학회지

1999 .01

E-ION

M. Roegie ,  s

Lubricants Symposium

2004 .09

Phase Transition of Ion-doped Block Copolymers

나이두 ,  류두열 ,  안형주 외 1명

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2011 .04