Ion-implanted E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold전압과의 관계에 관한 연구

손상희 ,  오응기 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1983 .11

Ion-Implanted Short Channel E-IGFET의 Threshold 전압과 I-V 특성에 관한 연구 ( 2 ) ( A Study on the Threshold Voltage and I-V Characteristis in the Ion-Implanted Short Channel E-I GFET ( 2 ) )

손상희 ,  오응기 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

Ion-Implemented E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold 전압과의 관계에 관한 연구 ( 1 ) ( A Study on the Relation of Doping Profile and Threshold Voltage in the Ion-Implanted E-IGFET ( 1 ) )

손상희 ,  오응기 ,  곽계달

전자공학회지

1984 .07

Step Doping Profile 을 갖는 Ion-implanted D-type IGFET 의 1-V 특성에 관한 연구 ( A Study on the I-V Characteristics of Ion-Implanted D-Type IGFET Having the Step Doping Profile )

박공희 ,  손상희 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

IGFET 채널 전류 밀도의 공간 변조 현상에 관한 연구 ( Space Modulation of the Channel Current Density in IGFET by the Polarized Metal Gates )

나극환

전자공학회지

1984 .07

Step doping profile 을 갖는 Ion-Implanted D-type

박공희 ,  손상희 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1985 .06

IGFET 채널의 Slow Wave가 복수 게이트상의 전압분포에 미치는 영향에 관한 연구 ( The Influenced on the Voltage Distribution of Multigates of IGFET by the Slow Wave in the Channel )

이동섭 ,  나극환

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

IGFET 채널내의 Slow Wave가 복수 게이트상의 전압분포에 미치는 영향에 관한 연구 ( The Influence on the Voltage Distribution of Multi-Gates of IGFET by the Slow Wave )

나극환

전자공학회지

1985 .07

An Improved Short-Channel IGFET Model for MOS VLSI Circuit Simulation and A Combined Methodology for Model Parameter Extraction

Kyoon Hyoung Kim ,  Jin Hyoung Kim ,  Sung Ki Kim 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

Ion-implanted Short-channel MOSFET의 도핑 변환과 모델링에 관한 연구

유남옥 ,  손상희 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1985 .06

Ion-implanted Short-channel MOSFET의 도핑변환과 모델링에 관한 연구 ( A Study on the Doping Transformation and the Modeling of Ion-Implanted Short-Channel MOSFET )

유남옥 ,  손상희 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

A 2-D Model for the Potential Distribution and Threshold Voltage of Fully Depleted Short-Channel Ion - Implanted Silicon MESFET’s

S. Jit ,  Sau ,  abh Mo 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2005 .09

이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )

유종선 ,  김여환 ,  김보우

전자공학회지

1985 .01

N-Channel MOSFET에 있어서 Threshold Voltage의 특성 ( Characteristics of the Threshold Voltage in a N-Channel MOSFET )

유종선 ,  강진영 ,  이만구 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1982 .01

ION IMPLANT UNIFORMITY MAPPING

W. A. Keenan ,  C. B. Ya ,  ling

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

A Two-Dimensional (2D) Analytical Model for the Potential Distribution and Threshold Voltage of Short-Channel Ion-Implanted GaAs MESFETs under Dark and Illuminated Conditions

Shweta T ,  ipathi ,  S. Jit

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2011 .03

이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 MOSFET의 제작 및 평가 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )

유종선 ,  김여환 ,  김보우

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

이온 주입된 MOSFET의 문턱 전압의 해석적 모델 ( Analytical Threshold Voltage Model of Ion-Implanted MOSFET )

김효식 ,  진주현 ,  경종민

전자공학회지

1985 .11

Surface Characteristics and Ion Release Behavior of Mg Ion Coated Dental Implant Formed by Ion Beam Assisted Deposition

Seung-Kyun Moon ,  Jae-Sung Kwon ,  Soo-Hyuk Uhm 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

E-ION

M. Roegie ,  s

Lubricants Symposium

2004 .09