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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1984.1
- 수록면
- 45 - 49 (5page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
1984
Ion-Implemented E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold 전압과의 관계에 관한 연구 ( 1 ) ( A Study on the Relation of Doping Profile and Threshold Voltage in the Ion-Implanted E-IGFET ( 1 ) )
손상희
,
오응기
,
곽계달
전자공학회지
1984.07
학술저널
Ion-Implanted Short Channel E-IGFET의 Threshold 전압과 I-V 특성에 관한 연구 ( 2 ) ( A Study on the Threshold Voltage and I-V Characteristis in the Ion-Implanted Short Channel E-I GFET ( 2 ) )
손상희
,
오응기
,
곽계달
대한전자공학회 학술대회
1984.01
학술대회자료
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Ion-Implanted Short Channel E-IGFET의 Threshold 전압과 l - V 특성에 관한 연구 ( 2 ) ( A Study on the Threshold Voltage and l - V Characteristics in the Ion-Implanted Short Channel E-IGFET ( 2 ) )
전자공학회지
1985 .07
-
Ion-implanted E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold전압과의 관계에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1983 .11
-
Ion-Implemented E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold 전압과의 관계에 관한 연구 ( 1 ) ( A Study on the Relation of Doping Profile and Threshold Voltage in the Ion-Implanted E-IGFET ( 1 ) )
전자공학회지
1984 .07
-
Step Doping Profile 을 갖는 Ion-implanted D-type IGFET 의 1-V 특성에 관한 연구 ( A Study on the I-V Characteristics of Ion-Implanted D-Type IGFET Having the Step Doping Profile )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
-
Ion-implanted Short-channel MOSFET의 도핑 변환과 모델링에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1985 .06
-
Ion-implanted Short-channel MOSFET의 도핑변환과 모델링에 관한 연구 ( A Study on the Doping Transformation and the Modeling of Ion-Implanted Short-Channel MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
-
Step doping profile 을 갖는 Ion-Implanted D-type
대한전자공학회 학술대회
1985 .06
-
A 2-D Model for the Potential Distribution and Threshold Voltage of Fully Depleted Short-Channel Ion - Implanted Silicon MESFET’s
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2005 .09
-
이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )
전자공학회지
1985 .01
-
N-Channel MOSFET에 있어서 Threshold Voltage의 특성 ( Characteristics of the Threshold Voltage in a N-Channel MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1982 .01
-
ION IMPLANT UNIFORMITY MAPPING
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
-
A Two-Dimensional (2D) Analytical Model for the Potential Distribution and Threshold Voltage of Short-Channel Ion-Implanted GaAs MESFETs under Dark and Illuminated Conditions
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2011 .03
-
이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 MOSFET의 제작 및 평가 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
이온 주입된 MOSFET의 문턱 전압의 해석적 모델 ( Analytical Threshold Voltage Model of Ion-Implanted MOSFET )
전자공학회지
1985 .11
-
IGFET 채널의 Slow Wave가 복수 게이트상의 전압분포에 미치는 영향에 관한 연구 ( The Influenced on the Voltage Distribution of Multigates of IGFET by the Slow Wave in the Channel )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
An Improved Short-Channel IGFET Model for MOS VLSI Circuit Simulation and A Combined Methodology for Model Parameter Extraction
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
-
Surface Characteristics and Ion Release Behavior of Mg Ion Coated Dental Implant Formed by Ion Beam Assisted Deposition
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .11
-
E-ION
Lubricants Symposium
2004 .09
-
Short-Channel EIGFET의 Threshold 전압모델에 관한 연구 ( A Study on the Threshold Voltage Model for Short-Channel EIGFET )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
Short-Channel EIGFET의 Threshold 전압 모델에 관한 연구 ( A Study on the Threshold Voltage Model for Short-Channel EIGFET )
전자공학회지
1985 .07
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