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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1983.11
- 수록면
- 317 - 321 (5page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
1984
Ion-Implemented E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold 전압과의 관계에 관한 연구 ( 1 ) ( A Study on the Relation of Doping Profile and Threshold Voltage in the Ion-Implanted E-IGFET ( 1 ) )
손상희
,
오응기
,
곽계달
전자공학회지
1984.07
학술저널
Ion-Implanted Short Channel E-IGFET의 Threshold 전압과 I-V 특성에 관한 연구 ( 2 ) ( A Study on the Threshold Voltage and I-V Characteristis in the Ion-Implanted Short Channel E-I GFET ( 2 ) )
손상희
,
오응기
,
곽계달
대한전자공학회 학술대회
1984.01
학술대회자료
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목차
ABSTRACT
Ⅰ. 序論
Ⅱ. Mathematical Analysis
Ⅴ. Calculation of implanted-depth D
Ⅳ. Simulation Analysis
Ⅵ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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Ion-Implemented E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold 전압과의 관계에 관한 연구 ( 1 ) ( A Study on the Relation of Doping Profile and Threshold Voltage in the Ion-Implanted E-IGFET ( 1 ) )
전자공학회지
1984 .07
-
Step Doping Profile 을 갖는 Ion-implanted D-type IGFET 의 1-V 특성에 관한 연구 ( A Study on the I-V Characteristics of Ion-Implanted D-Type IGFET Having the Step Doping Profile )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
-
Ion-Implanted Short Channel E-IGFET의 Threshold 전압과 l - V 특성에 관한 연구 ( 2 ) ( A Study on the Threshold Voltage and l - V Characteristics in the Ion-Implanted Short Channel E-IGFET ( 2 ) )
전자공학회지
1985 .07
-
Ion-Implanted Short Channel E-IGFET의 Threshold 전압과 I-V 특성에 관한 연구 ( 2 ) ( A Study on the Threshold Voltage and I-V Characteristis in the Ion-Implanted Short Channel E-I GFET ( 2 ) )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
Step doping profile 을 갖는 Ion-Implanted D-type
대한전자공학회 학술대회
1985 .06
-
IGFET 채널내의 Slow Wave가 복수 게이트상의 전압분포에 미치는 영향에 관한 연구 ( The Influence on the Voltage Distribution of Multi-Gates of IGFET by the Slow Wave )
전자공학회지
1985 .07
-
IGFET 채널 전류 밀도의 공간 변조 현상에 관한 연구 ( Space Modulation of the Channel Current Density in IGFET by the Polarized Metal Gates )
전자공학회지
1984 .07
-
IGFET 채널의 Slow Wave가 복수 게이트상의 전압분포에 미치는 영향에 관한 연구 ( The Influenced on the Voltage Distribution of Multigates of IGFET by the Slow Wave in the Channel )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
An Improved Short-Channel IGFET Model for MOS VLSI Circuit Simulation and A Combined Methodology for Model Parameter Extraction
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
-
이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )
전자공학회지
1985 .01
-
트랜지스터 문턱전압 측정을 통한 MOSFET 소자의 1차원 Doping Profile 측정
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2010 .05
-
Ion-implanted Short-channel MOSFET의 도핑 변환과 모델링에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1985 .06
-
Ion-implanted Short-channel MOSFET의 도핑변환과 모델링에 관한 연구 ( A Study on the Doping Transformation and the Modeling of Ion-Implanted Short-Channel MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
-
Ion Mass Doping 에 의한 인의 전기적 활성화에 대한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
-
Analysis of Threshold Voltage for DGMOSFET Using Nonuniform Channel Doping Profile
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2011 .06
-
Ion Mass Doping 법을 이용한 Phosphorus 주입된 실리콘 박막의 Annealing 특성
한국표면공학회지
1994 .08
-
ION IMPLANT UNIFORMITY MAPPING
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
-
이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 MOSFET의 제작 및 평가 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
이온 주입된 MOSFET의 문턱 전압의 해석적 모델 ( Analytical Threshold Voltage Model of Ion-Implanted MOSFET )
전자공학회지
1985 .11
-
Characteristics of Counter-Doping using ph3 and B2H6 ion Source Gases in Non-Mass Separated ion Doping on Excimer Laser Annealed Poly-Si Film
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
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