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이용수
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
참고문헌
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Ion Mass Doping 에 의한 인의 전기적 활성화에 대한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
실리콘 박막에서 이온 질량 도핑에 의해 주입된 인의 전기적 활성화에 관한 연구 ( A Study on the Electrical Activation of Ion Mass Doped Phosphorous on Silicon Films )
전자공학회논문지-A
1995 .01
열처리 온도에 따른 P-doped ZnO 박막의 구조적 및 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
2008 .06
Characteristics of Counter-Doping using ph3 and B2H6 ion Source Gases in Non-Mass Separated ion Doping on Excimer Laser Annealed Poly-Si Film
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
새로운 Annealing 방법 ( A New Annealing Method )
대한전자공학회 학술대회
1988 .07
새로운 AnneaLing 방법
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .07
Fabrication of phosphorus doped ZnO thin film using multi-layer structure
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .11
Reverse annealing of boron doped polycrystalline silicon
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2007 .01
Phosphorus-Doped ZnO 나노로드의 열처리 효과
한국재료학회지
2013 .01
인이 in-situ로 도핑된 다결정 실리콘의 열처리 온도에 따른 비저항의 변화
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
열처리 온도에 따른 P-doped ZnO 박막의 구조적 및 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
2008 .06
PARAMETRIC STUDY ON THE SHEET RESISTANCE OF THE ION IMPLANTED SILICON WAFERS AFTER RAPID THERMAL ANNEALING
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
이온 질량 주입된 비정질 실리콘의 금속 유도 측면 결정화 거동에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
급속 열처리 장치를 이용한 실리콘 산화막의 Annealing 효과 ( Effects of Annealing on Silicon Dioxide Using Rapid Thermal Process System )
대한전자공학회 학술대회
1988 .07
급속 열처리 장치를 이용한 실리콘 산화막의 Annealing 효과
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .07
B+ 및 BF2+가 이은 주입된 실리콘 웨이피의 annealing 효과
대한전자공학회 학술대회
1985 .06
Rapid thermal annealing effect on the electrical, optical, and structural properties of Ta-doped In₂O₃ films
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .11
Fabrication of Amorphous Silicon p-i-n Solar Cells Using ion Doped n+ -Layer
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
B+ 및 BF2+ 가 이온 주입된 실리콘 웨이퍼의 Annealing 효과 ( Annealing Effect ofr the B+- and BF2+- Implanted Silicon Wafers )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
소양호에서 인의 존재 형태별 분포에 관하여
환경연구
1996 .12
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