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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Hyun-Sik Kim (Dankook University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.5
발행연도
2018.10
수록면
578 - 585 (8page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.5.578

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A high signal-to-noise ratio CMOS capacitive transimpedance amplifier (CTIA) is proposed for highly sensitive sensor and readout circuits. The presented capacitive-ladder feedback network reduces the equivalent feedback capacitance value required for the low-noise and high-gain CTIA. The very low feedback capacitance realized by a proposed combination of large capacitors allows the conversion gain to be finely tunable, and this also results in a high accuracy that is insensitive to process variations. A prototype 5 V-supply CTIA circuit fabricated with a 0.5-μm CMOS process has an equivalent noise charge (ENC) of 31 e<SUP>-</SUP>RMS with an input capacitance of 150 pF, and it shows a 36% improvement in the process-insensitivity compared to the conventional CTIA under the same conversion gain.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. CFB-VARIATION VERSUS ENC
III. PROPOSED CTIA CIRCUIT DESIGN
IV. VERIFICATION RESULTS
V. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (12)

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