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학술대회자료
저자정보
Jian Chang (Texas Instruments) K.L. Man (Xi’an Jiaotong-Liverpool University) Enggee Lim (Xi’an Jiaotong-Liverpool University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2010 Conference
발행연도
2010.11
수록면
445 - 448 (4page)

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A general procedure to calculate the stability of the multiport memory cell is proposed. Noise margins of the 4-port and 8-port SRAM cell are studied. A novel 8-port memory cell is proposed to reduce the read access time.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. RELIABILITY OF THE MULTIIPORT MEMORY CELL
Ⅲ. 4-PORT SRAM MEMORY CELL
Ⅳ. 8-PORT SRAM MEMORY CELL
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES

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