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저자정보
Hailong Jiao (The Hong Kong University of Science and Technology) Volkan Kursun (The Hong Kong University of Science and Technology)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2013 Conference
발행연도
2013.11
수록면
255 - 258 (4page)

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A new asymmetrically ground-gated seven-transistor (7T) SRAM cell is proposed in this paper for providing a low leakage high data stability SLEEP mode in memory circuits. With the proposed asymmetrical 7T SRAM cell, the data stability is enhanced by 2.23x and 54.22% during read operations and idle status, respectively, as compared to the conventional sixtransistor (6T) SRAM cells in a TSMC 65nm CMOS technology. A specialized write assist circuitry is proposed to facilitate the data transfer into the new 7T SRAM cells. The overall electrical quality of a memory array is enhanced by 2.59x with the proposed asymmetrically ground-gated 7T memory cells as compared to the conventional ground-gated 6T SRAM cells.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PREVIOUSLY PUBLISHED GROUND-GATING TECHNIQUE FOR CONVENTIONAL 6T SRAM CELLS
Ⅲ. NOVEL 7T SRAM CELL WITH ASYMMETRICAL GROUND GATITNG
Ⅳ. CHARACTERIZATION OF MEMORY CIRCUITS
Ⅴ. INFLUENCE OF PROCESS PARAMETER VARIATIONS
Ⅵ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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