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대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 전자공학회논문지 TC편 제41권 제8호
발행연도
2004.8
수록면
631 - 637 (7page)

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본 논문에서는 밀리미터파 대역에서 고이득과 광대역 특성을 갖는 MHEMT(Metamorphic High Electron Mobility Transistor) cascade 증폭기를 설계 및 제작하였다. Cascode 증폭기 제작을 위해 01㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT를 설계·제직하였다. 제작된 MHEMT는 드레인 진류 밀도 640㎃/㎜, 최대 전달컨덕턴스(gm)는 653ms/㎜를 얻었으며, 주파수 특성으로 f_I 는 173㎓, f_max는 271 ㎓의 우수한 특성을 나타내었다. Cascode 증폭기는 CPW 전송선로를 이용하여 광대역 특성을 얻을 수 있도록 정합회로를 설계하였으며 , 1단과 2단 증폭기의 2가지 종류로 회로를 설계하였다. 설계된 증폭기는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용해 재작되었다. 제작된 cascade 증폭기의 측정결과, 1단 증폭기는 3㏈ 대역폭이 313~683㏈로 37㏈의 넓은 대역 특성을 얻었으며, 대역내에서 평균 97㏈ 및 40㎓에서 최대 113㏈의 S21 이득 특성을 나타내었다. Cascode 2단 증폭기는, 3㏈ 대역폭이 325~620㎓로 295㎓의 대역폭과 대역내에서 평균 20㏈ 및 365㎓에서 최대 223㏈의 높은 이득 특성을 얻었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. MHEMT의 설계 및 제작

3. Casocde 증폭기의 설계

4. MIMIC 증폭기의 제작 및 측정

5. 결론

참고문헌

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