고주파 플라즈마 응용 Ionized Source Beam Epitaxy 의한 Gan의 Epi 성장 ( Epitaxial Growth of GaN on Si ( 100 ) / Sapphire ( 0001 ) Using RF Plasma Assisted Ionized Source Beam Epitaxy )

유명철 ,  김태일

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1994 .01

The Growth of GaN Depending on Initial Layers of Sapphire Substrate by Hot Wall Epitaxy

Gyong Nam Jeon ,  Keung Jun Lee ,  Han Sol Kang 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

고주파 플리즈마 응용 lonized Source Beam Epitaxy에 의한 GaN의 Epi 성장 ( Epitaxial Growth of GaN on Si ( 100 ) / Sapphire ( 0001 ) Using RF Plasma Assisted Beam Epitaxy )

유명철 ,  김태일 ,  K. Kim 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

이온화된 N-source를 사용한 GaN박막의 성장과 특성

김선태 ,  이영주

한국재료학회지

1998 .01

Crystal Growth and Properties of GaN Layers on Sapphire Substrate

김선태 ,  문동찬 ,  최원진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor

Gao ,  Cun-Xu ,  Yu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 Sapphire기판 상에 GaN후막의 성장특성에 관한 연구

이정욱 ,  유지범 ,  변동진 외 1명

한국재료학회지

1997 .01

Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN

손호기 ,  이영진 ,  김진호 외 3명

전기전자재료학회논문지

2016 .01

암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AIN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적,광학적 특성

김경현 ,  홍성의 ,  강석준 외 5명

한국재료학회지

2002 .01

HF 크리닝 처리한 코발트실리사이드 버퍼층 위에 PA-MBE로 성장시킨 GaN의 에피택시

하준석 ,  장지호 ,  송오성

한국산학기술학회 논문지

2010 .02

금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구

양승현 ,  남기석 ,  임기영 외 1명

한국재료학회지

2000 .01

GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구

강이구 ,  강호철 ,  이정훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구

백호선 ,  이정욱 ,  김하진 외 1명

한국재료학회지

1999 .01

GaN 분말의 승화에 의한 Bulk GaN 성장

박기연 ,  김민호 ,  송용선 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE

H. D. Cho ,  G. S. Eom ,  C. B. Kim 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

ZnO 기판 위에 Hydride Vapor-Phase Epitaxy법에 의한 GaN의 성장

조성룡 ,  김선태

한국재료학회지

2002 .01

Mg-Doped GaN/Sapphire 구조로 제작된 압전 박막 SAW 필터의 특성분석

장철영 ,  정은자 ,  정영철 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구

이재석 ,  진정근 ,  변동진 외 3명

한국재료학회지

2004 .01

Growth and Characterization of InGaN/GaN MQWs on Two Different Types of Substrate

Taek Sung Kim ,  Jae Young Pa ,  k 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2006 .06